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          合肥工業(yè)大學(xué)周儒獲國家專利權(quán)

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          龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥工業(yè)大學(xué)申請的專利陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114267792B

          龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111579405.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10K30/85;該發(fā)明授權(quán)陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用是由周儒;李孝章;王長雪;陳驍;唐波;周佳程;周鈞天設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-12-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

          陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種陣列型TiO2CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用,首先,采用旋涂工藝制備TiO2致密層;其次,在TiO2致密層基底上利用水熱法制備CdS納米棒,獲得陣列型TiO2CdS復(fù)合納米結(jié)構(gòu)電子傳輸層,以設(shè)計(jì)體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池。本發(fā)明所制備復(fù)合納米結(jié)構(gòu)電子傳輸層中,TiO2致密層的沉積有利于CdS納米棒在襯底上的豎直生長,獲得高質(zhì)量一維結(jié)構(gòu)電子傳輸層;TiO2CdS復(fù)合電子傳輸層與太陽能電池吸收層材料形成理想的梯度能級排列,提高了界面處光生電子提取效率;CdS納米棒豎直生長特征為載流子提供了更為高效的傳輸路徑,有助于抑制器件內(nèi)部的電荷復(fù)合。

          本發(fā)明授權(quán)陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了:1.一種陣列型TiO2CdS復(fù)合電子傳輸層的制備方法,其特征在于: 在導(dǎo)電玻璃上旋涂制備TiO2致密層,并進(jìn)一步利用水熱法在TiO2基底上生長一維CdS納米棒,進(jìn)而獲得TiO2CdS納米棒復(fù)合電子傳輸層; 所述復(fù)合電子傳輸層中,TiO2致密層的厚度為20-30nm,CdS納米棒的長度為100-500nm; 所述制備方法包括如下步驟: 步驟1:將清洗好的導(dǎo)電基底放入紫外臭氧清洗機(jī)中,臭氧處理15-25min; 步驟2:配制0.1-0.2molL雙乙酰丙酮基二異丙基鈦酸酯的正丁醇溶液,并在室溫下攪拌1-2h,形成致密層前驅(qū)體溶液; 步驟3:取40-120μL的致密層前驅(qū)體溶液并滴加到導(dǎo)電基底上,并以轉(zhuǎn)速500-1000rpm旋涂3-6s,再以2000-3000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30-50s; 步驟4:旋涂結(jié)束后,將樣品放到加熱臺上退火,最后放入馬弗爐中,梯度升溫至450-550℃,燒結(jié)30-60min,形成TiO2致密層; 步驟5:將CdNO32·4H2O,硫脲和谷胱甘肽依次加入去離子水中,并在室溫下攪拌10-20min,獲得混合溶液;所述混合溶液中CdNO32·4H2O的濃度為0.005-0.015M,硫脲的濃度為0.02-0.04M,谷胱甘肽的濃度為0.003-0.012M; 步驟6:將導(dǎo)電玻璃TiO2致密層導(dǎo)電面朝下浸入步驟5的混合溶液中,并轉(zhuǎn)移至反應(yīng)釜進(jìn)行水熱反應(yīng),水熱反應(yīng)的溫度為180-220℃,反應(yīng)時(shí)間為50-150min;反應(yīng)結(jié)束后取出,用大量清水沖洗,放入干燥箱中烘干,獲得淡黃色CdS薄膜,即為TiO2CdS納米棒陣列復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。

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