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龍圖騰網(wǎng)獲悉江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利一種LED外延片、外延生長(zhǎng)方法及LED芯片獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114551661B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210164053.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種LED外延片、外延生長(zhǎng)方法及LED芯片是由程龍;印從飛;劉春楊;胡加輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種LED外延片、外延生長(zhǎng)方法及LED芯片在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種LED外延片、外延生長(zhǎng)方法及LED芯片，外延生長(zhǎng)方法包括在生長(zhǎng)P型接觸層時(shí)，控制生長(zhǎng)溫度從高溫逐漸降至低溫，同時(shí)，摻雜Mg，控制Mg通入濃度高于P型GaN層Mg濃度，并且隨著生長(zhǎng)溫度的降低，所述Mg通入濃度逐漸升高，因?yàn)樵谳^高溫度生長(zhǎng)Mg摻GaN層可以得到較高晶體質(zhì)量的Mg摻GaN層，同時(shí)，高溫時(shí)，Mg較易摻雜進(jìn)入GaN層中，但在低溫時(shí)，摻雜Mg效率的下降很多，而通過(guò)在低溫提高通入Mg的濃度，可以改善Mg在低溫時(shí)摻雜濃度低的問(wèn)題，又由于從高溫到低溫，降溫的過(guò)程Mg逐漸并入，有效減少了Mg摻GaN層的晶格失配，從而使得P型接觸層的接觸電阻降低的同時(shí)，保證了晶體質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)一種LED外延片、外延生長(zhǎng)方法及LED芯片在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種LED外延片的外延生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述外延生長(zhǎng)方法包括： 提供一生長(zhǎng)所需的藍(lán)寶石襯底； 在所述藍(lán)寶石襯底上依次外延生長(zhǎng)緩沖層、非故意摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層； 將所述P型接觸層在N2中進(jìn)行退火處理； 在生長(zhǎng)P型接觸層時(shí)，控制生長(zhǎng)溫度從高溫逐漸降至低溫，同時(shí)，摻雜Mg，控制Mg通入濃度高于P型GaN層Mg濃度，并且隨著生長(zhǎng)溫度的降低，所述Mg通入濃度逐漸升高，所述P型接觸層生長(zhǎng)溫度從900℃～1000℃降至700℃，同時(shí)，隨著所述P型接觸層生長(zhǎng)溫度的降低，所述Mg通入濃度從1E19升高至5E20，所述P型接觸層生長(zhǎng)壓力為100torr～600torr。

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