華燦光電(浙江)有限公司尚玉平獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利提高發光與制備效率的發光二極管外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115188860B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210546955.1，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權提高發光與制備效率的發光二極管外延片及其制備方法是由尚玉平;陸香花;肖云飛;李鵬設計研發完成，并于2022-05-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本提高發光與制備效率的發光二極管外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開公開了提高發光與制備效率的發光二極管外延片及其制備方法，屬于發光二極管制作領域。生長發光二極管外延片的多量子阱層中的壘層時，向反應腔通入第一有機金屬源與第一反應氣體生長第一子層，第一有機金屬源包括三甲基鎵，第一反應氣體包括氫氣、氨氣與氮氣。得到的第一子層的生長速度較快，縮短壘層所需的制備時長；而第一反應氣體中的氫氣可以抑制In原子滲入第一子層中，保證第一子層的成形速度的同時提高得到的第一子層的晶體質量。通入三乙基鎵與第二反應氣體在第一子層上生長第二子層，三乙基鎵可以使得到的第二子層具有更好的晶體質量與電學性能，有效提高最終得到的發光二極管外延片的發光效率與制備效率。
本發明授權提高發光與制備效率的發光二極管外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種提高發光與制備效率的發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 提供一襯底； 在所述襯底上生長n型GaN層； 在所述n型GaN層生長多量子阱層，所述多量子阱層包括交替層疊的壘層與InGaN阱層，所述壘層的材料為鎵氮化合物； 在所述多量子阱層上生長p型GaN層； 生長所述壘層，包括： 向反應腔通入第一有機金屬源與第一反應氣體生長第一子層，所述第一有機金屬源包括三甲基鎵，所述第一反應氣體包括氫氣、氨氣與氮氣； 向所述反應腔通入第二有機金屬源與第二反應氣體以在所述第一子層上生長第二子層，所述第二有機金屬源包括三乙基鎵，所述第二反應氣體包括氮氣和氨氣，所述第一子層的材料與所述第二子層的材料相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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