華燦光電(浙江)有限公司蘭葉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115241339B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210621771.7，技術領域涉及：H10H20/819；該發明授權降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波設計研發完成，并于2022-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片及其制備方法，屬于發光二極管制作技術領域。發光二極管芯片中，在n型層的表面指向p型層的方向上，使臺階的側壁與外延片的側壁之間的最大距離逐漸減小。臺階的側壁的縱截面為曲線，且曲線包括靠近p型層的第一弧形線段與遠離p型層的第二弧形線段，第一弧形線段的一端與第二弧形線段的一端相連且相切，第一弧形線段所對應的圓心位于外延片內，第二弧形線段所對應的圓心位于外延片外。避免應力集中，臺階在靠近p型層與n型層的連接位置處較為平緩且連接面積較大，連接強度大且對于垂直方向的作用力承受度較高，可以降低斷裂可能。
本發明授權降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片，所述降低臺階斷裂可能的發光二極管芯片包括外延片、n電極與p電極，所述外延片包括襯底及依次層疊在襯底上的n型層、發光層與p型層，所述p型層的表面具有延伸至n型層的的臺階，所述n電極與所述n型層被臺階暴露的表面電相連，所述p電極與所述p型層的表面電相連，其特征在于， 在所述n型層的表面指向所述p型層的方向上，所述臺階的側壁與所述外延片的側壁之間的最大距離逐漸減小，且所述臺階的側壁的縱截面為曲線，所述曲線包括靠近所述p型層的第一弧形線段與遠離所述p型層的第二弧形線段，所述第一弧形線段的一端與所述第二弧形線段的一端相連且相切，所述第一弧形線段所對應的圓心位于所述外延片內，所述第二弧形線段所對應的圓心位于所述外延片外。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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