珠海凱賽奧表面技術有限公司龐盼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉珠海凱賽奧表面技術有限公司申請的專利一種透明聚合物表面覆銅的工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115206809B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210852126.6，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種透明聚合物表面覆銅的工藝是由龐盼;程文雅;陳小曼設計研發完成，并于2022-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種透明聚合物表面覆銅的工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種透明聚合物表面覆銅的工藝，包括：S01對透明聚合物進行表面等離子體清洗，S02對透明聚合物表面沉積多層氧化物，S03對透明聚合物表面進行等離子體刻蝕，S04對透明聚合物表面進行覆銅。本發明通過設計一種特殊的透明聚合物表面覆銅的工藝，并用該工藝制備的覆銅聚合物刻蝕的精細線路可完全解決在線寬線距窄的環境下產生枝晶的技術難題。
本發明授權一種透明聚合物表面覆銅的工藝在權利要求書中公布了：1.一種透明聚合物表面覆銅的工藝，其特征在于，所述工藝具體包括如下步驟： S01對透明聚合物進行表面等離子體清洗： 對透明聚合物表面依次進行潘寧源清洗和考夫曼源清洗，以實現氧的嵌入與氧的加成，備用； 所述考夫曼源清洗過程中電阻低于1016Ω； S02對透明聚合物表面沉積多層氧化物： 利用低能離子束技術對經S01處理后的透明聚合物表面先沉積一層氧化物，待沉積結束后停止氧氣供給，沉積一層薄金屬，并將氧化物層和薄金屬層設定為一個單元周期，重復周期1-20次，以完成多層氧化物的沉積； 所述氧化物的沉積厚度為10-20nm，所述薄金屬層的沉積厚度為1-5nm；且所述氧化物至少為氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯中的一種； 沉積束流為100-400mA，及沉積過程中溫度為100-150℃，沉積速率為10-40nmmin，氧氣流量為20-80sccm； S03對透明聚合物表面多層氧化物進行等離子體刻蝕： 利用等離子體技術對經S02處理后的透明聚合物表面氧化物進行等離子體刻蝕； S04對透明聚合物的氧化層表面覆銅： 利用低能離子束技術和電子束蒸發技術沉積極薄銅，即完成所述透明聚合物表面覆銅的工藝。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海凱賽奧表面技術有限公司，其通訊地址為：519000 廣東省珠海市香洲區沿河西路352號(銀樺新村)02室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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