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          華南師范大學吳立軍獲國家專利權

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          龍圖騰網獲悉華南師范大學申請的專利一種基于激光直寫一步制備雙環形結構的系統及方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115356896B

          龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210868958.7,技術領域涉及:G03F7/20;該發明授權一種基于激光直寫一步制備雙環形結構的系統及方法是由吳立軍;朱彥霖;王浩;李強;陳儷赟;魏亞壯;劉佳鑫;陳浩瀚;黃巍巍設計研發完成,并于2022-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。

          一種基于激光直寫一步制備雙環形結構的系統及方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種基于激光直寫一步制備雙環形結構的系統及方法,該系統包括沿光路設置的連續激光器、擴束系統、衰減片、半波片、光快門、分光裝置、油浸物鏡和正負性可調光刻膠樣品;還包括三維高精度納米定位平移臺、透鏡、CCD相機和計算機;分光裝置將入射進來的連續波激光束經油浸物鏡聚焦到正負性可調光刻膠樣品表面,入射到樣品表面的激光一部分反射到分光裝置上進而照射到第三透鏡上;油浸物鏡將激光束聚焦在樣品上,一步制備雙環形結構。本發明能夠通過在較低成本的同時通過單次加工一步得到雙環形結構,而不是通過兩次或更多次的繁瑣步驟獲得;還可以通過改變功率密度以及直寫時間來靈活地改變所需雙環形結構的內外徑。

          本發明授權一種基于激光直寫一步制備雙環形結構的系統及方法在權利要求書中公布了:1.一種基于激光直寫一步制備雙環形結構的系統,其特征在于,包括沿光路設置的連續激光器、擴束系統、衰減片、半波片、光快門、分光裝置、油浸物鏡和正負性可調光刻膠樣品;還包括三維高精度納米定位平移臺、第三透鏡、CCD相機和計算機; 所述正負性可調光刻膠樣品安裝在三維高精度納米定位平移臺上;所述正負性可調光刻膠樣品包括基底和涂覆在基底上的S1813正性光刻膠;所述S1813正性光刻膠包括甲酚酚醛樹脂、二氮萘醌光敏化合物和溶劑; 所述連續激光器用于發出連續波激光束; 所述擴束系統用于對連續波激光束進行擴束; 所述衰減片用于控制擴束后的連續波激光束的能量; 所述半波片用于控制連續波激光束的偏振方向; 所述光快門用于控制連續波激光束的通光量; 所述分光裝置用于將入射進來的連續波激光束經油浸物鏡聚焦到正負性可調光刻膠樣品表面,入射到正負性可調光刻膠樣品表面的激光一部分反射到分光裝置上進而照射到第三透鏡上; 所述油浸物鏡用于將激光束聚焦在正負性可調光刻膠樣品上,一步制備雙環形結構,然后采用顯影液進行顯影; 所述第三透鏡用于將激光束聚焦在CCD相機上; 所述CCD相機用于實時監測加工過程,觀察光束的曝光情況; 所述計算機用于控制三維高精度納米定位平移臺和CCD相機; 一步制備雙環形結構原理如下: 選取的位于光刻膠吸收區邊緣的激光波長和功率使得光斑得不同區域有不同的強度,這些強度分別使得對應區域不發生反應、發生化學轉化以及發生燒蝕,基于此便可產生所示的雙環形結構;具體來說,應用的激光束能夠同時在聚合物薄膜中產生燒蝕、負性、正性和未曝光的特征;此時,在緊聚焦的光束的中心部分,固化的聚合物被燒蝕掉;在緊聚焦光束的外部部分,光刻膠正性轉換為負性,導致聚合物固化;在聚焦光束的極端外部,發生正常的聚合反應,在后續顯影過程中被除去;而在非聚焦部分,聚合物薄膜不受影響。

          如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人華南師范大學,其通訊地址為:510000 廣東省廣州市中山大道西55號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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