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龍圖騰網獲悉成都功成半導體有限公司申請的專利一種常開型GaN HEMT功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116013983B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211616618.1，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種常開型GaN HEMT功率器件是由王中健;曹遠迎設計研發完成，并于2022-08-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種常開型GaN HEMT功率器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種常開型GaNHEMT功率器件，屬于半導體技術領域，器件包括從下至上依次連接的第三襯底、第二中間層、緩沖層、GaN層和AlGaN層；所述AlGaN層上設置有源極、漏極和柵極，其中，所述源極、漏極均延伸連接至所述GaN層中；所述GaN層中設置有空腔，所述空腔的下端延伸至所述緩沖層中，所述空腔的上端位于源極和漏極的溝道下方，所述AlGaN層上外延有p型GaN，所述柵極位于所述p型GaN上。本發明通過在GaN層形成空腔，一方面減少了溝道下方GaN層的厚度，減少了漏電通道，減少漏電，另一方面，使得AlGaNGaN界面二維電子氣密度增加，提高器件性能，同時實現常開型型器件。

本發明授權一種常開型GaN HEMT功率器件在權利要求書中公布了：1.一種常開型GaNHEMT功率器件，其特征在于，包括從下至上依次連接的第三襯底（1）、第二中間層（2）、緩沖層（3）、GaN層（4）和AlGaN層（5）；所述AlGaN層（5）上設置有源極、漏極和柵極，其中，所述源極、漏極均延伸連接至所述GaN層（4）中；所述GaN層（4）中設置有空腔（6），所述空腔（6）的下端延伸至所述緩沖層（3）中，所述空腔（6）的上端位于源極和漏極的溝道下方； 所述GaNHEMT功率器件的制備方法包括以下步驟： S1、在第一襯底（8）上依次外延緩沖層（3）、GaN層（4）和AlGaN層（5）； S2、在所述AlGaN層（5）上旋涂或沉積第一中間層（9），并在所述第一中間層（9）上鍵合第二襯底（10）； S3、研磨加選擇性刻蝕去掉所述第一襯底（8）漏出所述緩沖層（3），在所述緩沖層（3）上旋涂光刻膠并開窗口； S4、依次刻蝕所述緩沖層（3）、GaN層（4）形成刻蝕槽，其中，刻蝕槽延伸至所述GaN層（4）內部后停止刻蝕并去除所述光刻膠； S5、在所述緩沖層（3）上鍵合旋涂或沉積有第二中間層（2）的第三襯底（1），并讓所述第二中間層（2）蓋住所述刻蝕槽，形成空腔（6）； S6、去掉所述第一中間層（9）和第二襯底（10），并在所述AlGaN層（5）上制造源極、漏極和柵極，得到GaNHEMT功率器件； 所述AlGaN層（5）上外延有p型GaN（7），所述柵極位于所述p型GaN（7）上；所述空腔（6）上方的GaN層（4）厚度為0.2um-1um。

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