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龍圖騰網獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利改善斷裂的發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115472722B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211024521.1，技術領域涉及：H10H20/819；該發明授權改善斷裂的發光二極管及其制備方法是由蘭葉;王江波;吳志浩;張威設計研發完成，并于2022-08-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本改善斷裂的發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善斷裂的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：基板、外延層、第一電極和第二電極，所述外延層在所述基板上的正投影為矩形，所述外延層的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述矩形的一條側邊處，且由所述側邊的一端延伸至另一端，所述第一電極位于所述凹槽中，所述第二電極位于所述凹槽外。本公開實施例能提升發光二極管的強度，改善外延層上開設凹槽后，發光二極管容易斷裂的問題。

本發明授權改善斷裂的發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：基板（10）、外延層（20）、第一電極（31）和第二電極（32），所述外延層（20）在所述基板（10）上的正投影為矩形，所述外延層（20）的表面具有凹槽（24），所述凹槽（24）位于所述矩形的一條側邊處，且由所述側邊的一端延伸至另一端，所述第一電極（31）位于所述凹槽（24）中，所述第二電極（32）位于所述凹槽（24）外，所述凹槽（24）的側壁與所述凹槽（24）的底面的夾角為鈍角； 所述外延層（20）包括依次層疊的n型層、多量子阱層（22）和p型層，所述凹槽（24）位于所述p型層的表面且露出所述n型層；所述p型層的第一局部區域（230）注入有硅離子，且所述第一局部區域（230）與所述凹槽（24）相鄰，所述第一局部區域（230）包括第一框形部（231）和第二框形部（232），所述第一框形部（231）沿所述p型層的邊緣延伸，所述第二框形部（232）位于所述第一框形部（231）內，所述第一框形部（231）中單位體積注入的硅離子的量高于所述第二框形部（232）中單位體積注入的硅離子的量； 所述p型層的第二局部區域（240）注入有硅離子，所述第二局部區域（240）呈弧形，且位于所述第二框形部（232）內，所述第二局部區域（240）中單位體積注入的硅離子的量高于所述第二框形部（232）中單位體積注入的硅離子的量，且低于所述第一框形部（231）中單位體積注入的硅離子的量。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮蘇福路233號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。