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龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學申請的專利離子導體集成電路及制備方法與應用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115394632B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211067199.0，技術領域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)離子導體集成電路及制備方法與應用是由林彬;王國慶設計研發(fā)完成，并于2022-09-01向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本離子導體集成電路及制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及集成電路領域、新型材料領域和電子信息領域，提供了離子導體集成電路及制備方法與應用，能夠制備尺寸更小更薄，而且離子傳輸速率快，而且靈敏度高，功耗更低的集成電路。本發(fā)明制造的原子尺度離子導體集成電路，不僅可集成度高，可解決集成電路中存在的尺寸效應和量子力學效應等問題，也可以為大尺寸傳感器或者集成電路其他關鍵零部件材料提供新的思路。本發(fā)明采用原子尺度氮化硼等材料作為離子導體集成電路的核心材料，具有良好的電絕緣性、導熱性、耐化學腐蝕性等優(yōu)點，同時成本低廉，制造工藝成熟，容易制得，作為商業(yè)化用途很有展望。

本發(fā)明授權(quán)離子導體集成電路及制備方法與應用在權(quán)利要求書中公布了：1.離子導體集成電路，其特征在于：離子導體集成電路包含基底1、原子尺度離子導體2、金屬層3和鈍化層4； 其中，原子尺度離子導體2的材料是六方氮化硼，所述原子尺度離子導體2設置于所述基底1上，執(zhí)行預設的刻蝕工藝利用飛秒激光加工技術、非線性激光加工技術方法對原子尺度離子導體2進行刻蝕，通過構(gòu)建不同方向和尺寸的空位缺陷，來構(gòu)建原子尺度的離子傳輸通道；在所述原子尺度離子導體2上放置金屬層3，所述金屬層3包括功率放大器；所述鈍化層4設置于基底1、原子尺度離子導體2和金屬層3的正上方，對離子導體集成電路進行封裝。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人電子科技大學，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。