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龍圖騰網(wǎng)獲悉福州大學(xué)申請的專利應(yīng)用于MEMS時鐘的低功耗溫度傳感器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115638888B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211088040.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01K7/01；該發(fā)明授權(quán)應(yīng)用于MEMS時鐘的低功耗溫度傳感器是由黃繼偉;劉皓宇;郭屹粟;金靖設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-09-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本應(yīng)用于MEMS時鐘的低功耗溫度傳感器在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于MEMS時鐘的低功耗溫度傳感器，采用雙極型晶體管與MOS管作為溫感元件，通過Sigma?DeltaADC將溫度前端電路輸出的與溫度相關(guān)的模擬電壓量轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出D OUT 。溫度前端電路基于MOSFET亞閾值溫度特性進(jìn)行設(shè)計，避免了電阻元件的使用，有效降低了電路靜態(tài)功耗。此外，該TDC采用了動態(tài)偏置比較器與互補結(jié)構(gòu)T型開關(guān)，進(jìn)一步提高了能源利用效率。該傳感器用于MEMS時鐘溫度補償模塊，為其提供高精度、高分辨率的溫度信息，該結(jié)構(gòu)針對溫度傳感器功耗進(jìn)行了優(yōu)化，其小體積低功耗特性使其適用于MEMS時鐘應(yīng)用。

本發(fā)明授權(quán)應(yīng)用于MEMS時鐘的低功耗溫度傳感器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種應(yīng)用于MEMS時鐘的低功耗溫度傳感器，其特征在于，包括：溫度前端電路、15bit二階Sigma-DeltaADC和時序產(chǎn)生電路； 所述溫度前端電路，用于提供與溫度分別呈正相關(guān)和負(fù)相關(guān)的模擬電壓量； 所述15bit二階Sigma-DeltaADC，用于處理由溫度前端電路產(chǎn)生的與溫度相關(guān)的電壓信號，輸出一個包含溫度信息的脈沖寬度調(diào)制信號； 所述時序產(chǎn)生電路，提供Sigma-DeltaADC中用于控制采樣保持電路的非交疊時鐘； 所述的溫度前端電路包括：啟動電路、亞閾值電流偏置電路、CTAT電壓產(chǎn)生電路以及PTAT電壓產(chǎn)生電路； 所述啟動電路用于消除每條支路電流為零的情況； 所述亞閾值電流偏置電路，用于提供精準(zhǔn)的偏置電流給CTAT電壓產(chǎn)生電路以及PTAT電壓產(chǎn)生電路，輸出為一個與溫度正相關(guān)的電流； 所述CTAT電壓產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生與溫度呈負(fù)相關(guān)的電壓V BE ； 所述PTAT電壓產(chǎn)生電路，用于提供一個與溫度正相關(guān)的電壓； 所述亞閾值電流偏置電路利用工作在亞閾值區(qū)的MOS管，產(chǎn)生與溫度正相關(guān)的偏置電流，為雙極性晶體管與PTAT電壓產(chǎn)生電流提供偏置電流，以減小V BE 的溫度非線性； 所述PTAT電壓產(chǎn)生電路，利用工作在亞閾值區(qū)的MOS管的電流特性，產(chǎn)生與溫度正相關(guān)的電壓； 并通過多級類差分PTAT電壓產(chǎn)生電路并聯(lián)的形式，得到一個與V BE 的負(fù)溫度特性相抵消的正溫度相關(guān)的電壓，以避免ADC中利用電容對正溫度系數(shù)電壓進(jìn)行放大。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人福州大學(xué)，其通訊地址為：350108 福建省福州市閩侯縣福州大學(xué)城烏龍江北大道2號福州大學(xué)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。