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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇長電科技股份有限公司申請的專利濾波器封裝結(jié)構(gòu)及制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115424989B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211190569.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權(quán)濾波器封裝結(jié)構(gòu)及制作方法是由楊先方;李俊君設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-09-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本濾波器封裝結(jié)構(gòu)及制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種濾波器封裝結(jié)構(gòu)及制作方法，濾波器封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、基板和環(huán)形擋墻；環(huán)形擋墻設(shè)置在所述芯片下方，基板設(shè)有與所述環(huán)形擋墻相互配合的環(huán)形溝槽；所述芯片通過焊球與所述基板進(jìn)行焊接，所述環(huán)形擋墻嵌入環(huán)形溝槽內(nèi)以使得所述芯片、所述基板和所述環(huán)形擋墻之間形成空腔且所述環(huán)形擋墻的底部不接觸所述環(huán)形溝槽的槽底面。通過在芯片上設(shè)置環(huán)形擋墻，在基板上設(shè)置相互配合的環(huán)形溝槽，可以使得芯片貼裝后環(huán)形擋墻嵌入基板的環(huán)形溝槽中形成空腔,有效阻止芯片和基板在壓合時溢出的保護(hù)薄膜層的材料進(jìn)入空腔內(nèi)污染焊球和芯片的有效區(qū)域，從而提高空腔的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)濾波器封裝結(jié)構(gòu)及制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括芯片、基板和環(huán)形擋墻； 所述環(huán)形擋墻設(shè)置在所述芯片的正面，所述基板表面設(shè)有與所述環(huán)形擋墻相互配合的環(huán)形溝槽； 所述芯片通過焊球與所述基板進(jìn)行焊接，所述環(huán)形擋墻嵌入環(huán)形溝槽內(nèi)以使得所述芯片、所述基板和所述環(huán)形擋墻之間形成空腔且所述環(huán)形擋墻的底部不接觸所述環(huán)形溝槽的槽底面； 還包括保護(hù)薄膜層； 所述保護(hù)薄膜層至少包括第一保護(hù)區(qū)和第二保護(hù)區(qū)，所述第一保護(hù)區(qū)覆蓋于芯片的背面及側(cè)面以及空腔外側(cè)的基板上方，所述第二保護(hù)區(qū)設(shè)置在所述環(huán)形擋墻的外側(cè)及所述環(huán)形溝槽內(nèi)； 所述焊球至少為一個且位于空腔內(nèi)部； 所述環(huán)形擋墻的高度不小于最終焊接形成的焊球的高度，使得所述空腔與外部的連通區(qū)域為U型通道； 所述環(huán)形擋墻的高度不大于最初形成的焊球的高度，所述環(huán)形溝槽的深度大于二分之一的最初形成的焊球的高度，所述環(huán)形溝槽的寬度不小于環(huán)形擋墻的厚度； 所述環(huán)形擋墻的材料為PI材料。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人江蘇長電科技股份有限公司，其通訊地址為：214400 江蘇省無錫市江陰市澄江鎮(zhèn)長山路78號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。