甬矽電子(寧波)股份有限公司何正鴻獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉甬矽電子(寧波)股份有限公司申請的專利扇入型封裝結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115458513B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211254717.X，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權扇入型封裝結構及其制備方法是由何正鴻;張超;何林;高源;王承杰設計研發完成，并于2022-10-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本扇入型封裝結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種扇入型封裝結構及其制備方法，涉及半導體封裝技術領域，扇入型封裝結構包括基底芯片、結構載板、堆疊芯片、布線介質層、連接布線層、拓展布線層、介質組合層和錫球，拓展布線層與基底芯片錯位設置。相較于現有技術，本發明通過容置凹槽貼裝堆疊芯片的方式完成了芯片的堆疊封裝，提升了芯片封裝的集成度，并且容置凹槽的設置也降低了封裝高度，有利于芯片的小型化。此外，通過在結構載板上方布置連接布線層和拓展布線層，拓展布線層可以的增加線路層的集成度，能夠大幅提升封裝的IO端錫球的數目，提升布線密集度以及布線面積，提升了產品性能。
本發明授權扇入型封裝結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種扇入型封裝結構，其特征在于，包括： 基底芯片； 設置在所述基底芯片一側的結構載板，所述結構載板上設置有容置凹槽； 貼裝在所述容置凹槽中的堆疊芯片； 設置在所述結構載板遠離所述基底芯片一側的布線介質層； 設置在所述布線介質層中的連接布線層和拓展布線層； 設置在所述布線介質層遠離所述基底芯片一側的介質組合層； 以及，設置在所述介質組合層上的錫球； 其中，所述連接布線層同時與所述基底芯片和所述堆疊芯片電連接，且所述堆疊芯片和所述基底芯片對應設置，所述連接布線層和所述堆疊芯片對應設置，所述拓展布線層與所述基底芯片錯位設置；所述結構載板的切割道的寬度W2小于具有所述基底芯片的晶圓片切割時的切割道寬度W1；所述拓展布線層至少部分位于所述基底芯片的切割道區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人甬矽電子(寧波)股份有限公司，其通訊地址為：315400 浙江省寧波市余姚市中意寧波生態園興舜路22號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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