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龍圖騰網(wǎng)獲悉福州大學(xué)申請的專利制備垂直型場效應(yīng)晶體管的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115602544B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211270629.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/363；該發(fā)明授權(quán)制備垂直型場效應(yīng)晶體管的方法是由李調(diào)陽;莊毅;梅佳旺;王博設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-10-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本制備垂直型場效應(yīng)晶體管的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種制備長程有序高深寬比結(jié)構(gòu)及垂直型場效應(yīng)晶體管的方法。該方法主要步驟有：利用丙酮、異丙醇、去離子水對長程有序多孔氧化鋁模板進(jìn)行清洗，利用原子層沉積技術(shù)可三維共形沉積的特點(diǎn)來沉積絕緣氧化物薄膜，通過設(shè)置循環(huán)數(shù)精確控制薄膜厚度，從而獲得大于200:1的長程有序超高深寬比結(jié)構(gòu)，此方法無需用到刻蝕技術(shù)，工藝簡單，成本低。同時(shí)，基于原子層沉積技術(shù)在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜將孔隙填充，通過刻蝕除去表面沉積的氧化物半導(dǎo)體薄膜，再使用物理氣相沉積系統(tǒng)沉積一層金屬層，之后采用半導(dǎo)體器件工藝，最終可用于制備垂直型場效應(yīng)晶體管。

本發(fā)明授權(quán)制備垂直型場效應(yīng)晶體管的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制備垂直型場效應(yīng)晶體管的方法，其特征在于，采用原子層沉積系統(tǒng)在多孔氧化鋁膜上覆蓋一層絕緣氧化物薄膜制備高深寬比結(jié)構(gòu)，然后基于高深寬比結(jié)構(gòu)制備垂直型場效應(yīng)晶體管，具體步驟如下： 步驟1、對長程有序多孔氧化鋁膜進(jìn)行清洗，即依次使用包括丙酮、異丙醇、去離子水、氮?dú)獯祾叩牟襟E對多孔氧化鋁膜進(jìn)行清洗； 步驟2、將清洗完的多孔氧化鋁膜放入原子層沉積系統(tǒng)中沉積絕緣氧化物薄膜，利用原子層沉積三維共形沉積特點(diǎn)，通過精確控制薄膜厚度，制備高深寬比結(jié)構(gòu)； 步驟3、將制備完的高深寬比結(jié)構(gòu)放入原子層沉積系統(tǒng)中沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜將孔隙填充，并通過電感耦合等離子體干法刻蝕去除表面多余的氧化物半導(dǎo)體薄膜； 步驟4、在步驟3處理后的樣品表面利用物理氣相沉積系統(tǒng)蒸鍍一層金屬層作為源極； 步驟5、將步驟4處理后的樣品放入氫氧化鈉溶液中去除多孔氧化鋁的背面氧化鋁，后放入氯化銅和鹽酸溶液中去除多孔氧化鋁的鋁襯底，最后將樣品放入氫氧化鈉溶液中去除多孔氧化鋁； 步驟6、旋涂光刻膠并用電子束曝光將柵極圖案化，使用物理氣相沉積蒸鍍金屬部分填充，之后將多余金屬剝離形成柵極； 步驟7、利用原子層沉積系統(tǒng)沉積絕緣氧化物薄膜將孔隙填充滿，并用電感耦合等離子體干法刻蝕去除表面絕緣氧化物薄膜，直至氧化物半導(dǎo)體薄膜呈現(xiàn)，之后使用化學(xué)機(jī)械拋光平坦化； 步驟8、利用物理氣相沉積蒸鍍金屬層作為漏極。

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