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龍圖騰網獲悉中國科學院物理研究所申請的專利碳化硅單晶的生長方法、碳化硅單晶、坩堝和生長系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116288647B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211566479.6，技術領域涉及：C30B11/00；該發明授權碳化硅單晶的生長方法、碳化硅單晶、坩堝和生長系統是由陳小龍;王國賓;郭建剛;李輝;王文軍;盛達設計研發完成，并于2022-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅單晶的生長方法、碳化硅單晶、坩堝和生長系統在說明書摘要公布了：本發明提供了一種碳化硅單晶的生長方法、碳化硅單晶、坩堝和生長系統。生長方法包括：將碳化硅籽晶置于坩堝的底部；將原料塊覆蓋在碳化籽晶上；其中原料塊包括硅元素和碳元素；將助熔劑裝到原料塊和坩堝內壁之間的區域；對坩堝進行加熱，以使助熔劑熔化；向上提拉原料塊，使熔化后的助熔劑流入碳化硅籽晶和原料塊之間，且使原料塊的底面與助熔劑接觸；經第一預設時長后，向上提拉原料塊，使其與熔化的助熔劑分離；將坩堝的溫度降低至指定溫度，得到基于碳化硅籽晶生長的碳化硅單晶。本發明不存在或可大大減小籽晶掉落的可能性，生長前SiC籽晶被上方的原料塊覆蓋，阻礙了助熔劑熔體揮發物在籽晶表面上的沉積，防止了生長初期產生的大量缺陷。

本發明授權碳化硅單晶的生長方法、碳化硅單晶、坩堝和生長系統在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅單晶的生長方法，其特征在于，包括： 將碳化硅籽晶置于坩堝的底部； 將原料塊覆蓋在所述碳化硅籽晶上；其中所述原料塊包括硅元素和碳元素； 將助熔劑裝到所述原料塊和坩堝內壁之間的區域； 對所述坩堝進行加熱，以使所述助熔劑熔化； 計算所述助熔劑熔化后的保溫時長，當所述保溫時長達到第二預設時長時，向上提拉所述原料塊，使熔化后的所述助熔劑流入所述碳化硅籽晶和所述原料塊之間，且使所述原料塊的底面與所述助熔劑接觸； 經第一預設時長后，向上提拉所述原料塊，使其與熔化的所述助熔劑分離； 將所述坩堝的溫度降低至指定溫度，得到基于所述碳化硅籽晶生長的碳化硅單晶； 其中，在使所述原料塊的底面與所述助熔劑接觸之后，包括： 轉動所述坩堝和或所述原料塊；和或 使所述坩堝和或所述原料塊上下移動，并使所述原料塊的底面與所述助熔劑保持接觸； 所述坩堝為耐助熔劑腐蝕的坩堝； 所述原料塊的硅元素與碳元素的摩爾比為1:1。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院物理研究所，其通訊地址為：100190 北京市海淀區中關村南三街八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。