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龍圖騰網獲悉湖南恩智測控技術有限公司申請的專利電子負載控制方法、系統、存儲介質及電子負載獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116610183B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310678044.9，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權電子負載控制方法、系統、存儲介質及電子負載是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2023-06-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本電子負載控制方法、系統、存儲介質及電子負載在說明書摘要公布了：本發明公開了一種電子負載控制方法、系統、存儲介質及電子負載，先利用最大預設導通電壓對MOSFET進行預導通，從而可以極大的縮短MOSFET的響應時間，同時，在最大預設導通電壓加壓完成后，停止向MOSFET加壓第二預導通時長，使得MOSFET的電流一定從零開始，最終可以使得預設基礎電壓加壓時，MOSFET的上升電流的斜率仍然能夠與預期的一致。本發明實施例的電子負載控制方法利用預導通的思想，不但直接有效的縮短了MOSFET的響應時間，還保證了輸出電流的上升斜率不變，足以滿足市場需求，適合進行產業化推廣。

本發明授權電子負載控制方法、系統、存儲介質及電子負載在權利要求書中公布了：1.一種電子負載控制方法，其特征在于，所述電子負載包括多個MOSFET，所述電子負載控制方法包括： 向所述MOSFET輸出最大預設導通電壓，輸出持續時長為第一預導通時長； 停止向所述MOSFET輸出電壓，停止時長為第二預導通時長；所述第二預導通時長根據所述電子負載的負載控制器切換輸出電壓所需時間得到； 向所述MOSFET輸出預設基礎電壓，直至所述MOSFET輸出與所述預設基礎電壓對應的輸出電流； 其中，所述第一預導通時長由以下步驟得到： 向所述MOSFET輸出所述最大預設導通電壓，并獲取所述MOSFET的輸出電流的電流波形； 確定所述電流波形中的電流輸出起點； 根據開始輸出所述最大預設導通電壓的對應時刻至所述電流輸出起點出現的對應時刻的時長確定所述第一預導通時長； 所述根據開始輸出所述最大預設導通電壓的對應時刻至所述電流輸出起點出現的對應時刻的時長確定所述第一預導通時長，包括： 將開始輸出所述最大預設導通電壓的對應時刻至所述電流輸出起點出現的對應時刻的時長確定為最大預導通時長； 根據所述最大預導通時長和防尖峰預設時間閾值得到所述第一預導通時長； 所述第一預導通時長由下公式得到： t1=t1max-N； 式中，t1為所述第一預導通時長，t1max為所述最大預導通時長,N為防尖峰預設時間閾值。

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