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龍圖騰網獲悉江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文電子科技有限公司申請的專利一種半導體材料的減薄拋光方法及減薄拋光裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116936344B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310913850.X，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種半導體材料的減薄拋光方法及減薄拋光裝置是由林政勛;郭軻科設計研發完成，并于2023-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體材料的減薄拋光方法及減薄拋光裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體材料的減薄拋光方法及減薄拋光裝置，涉及半導體技術領域。通過在磨盤上設置多個第一研磨塊和多個第二研磨塊，第一研磨塊上具有表面凹陷，第二研磨塊上具有表面凸起，利用凸起型的研磨塊和凹陷型的研磨塊的異型錯位分布，在旋轉過程中，可以有效引導研磨下的顆粒向邊緣流動，降低因研磨出來的半導體顆粒未能及時排出，所造成的對晶圓更深層的損傷。研磨之后進行清洗然后進行電感耦合等離子體刻蝕拋光，不需要引入拋光過程中的漿液，能大幅度省下拋光產生的耗材及拋光后清洗處理的成本。

本發明授權一種半導體材料的減薄拋光方法及減薄拋光裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體材料的減薄拋光方法，其特征在于，包括： S01，向磨盤中添加研磨液對半導體材料進行研磨，所述磨盤包括磨盤本體，所述磨盤本體上設置有多個第一研磨塊和多個第二研磨塊，所述第一研磨塊上具有表面凹陷，所述第二研磨塊上具有表面凸起，所述第一研磨塊和所述第二研磨塊交替設置；采用兩個所述磨盤進行操作，將兩個所述磨盤具有研磨塊的一面用于夾持所述半導體材料，加入研磨液進行研磨；兩個所述磨盤根據安裝位置分為上磨盤和下磨盤，所述上磨盤和所述下磨盤為同軸異步轉動，所述上磨盤的轉速為下磨盤的0.5倍～0.8倍；研磨的過程中所采用的所述研磨液包括研磨粉料，所述研磨粉料包括研磨劑顆粒和包覆于所述研磨劑顆粒上的納米粉末；所述研磨劑顆粒選自氧化鈰顆粒和金剛石顆粒中的至少一種；所述納米粉末選自氧化鋯、氧化鎂、氧化鋁、氧化鈣、氧化鑭、氧化釔和氧化鈰中的至少一種； S02，采用等離子刻蝕機對半導體材料表面的漿液層進行等離子清洗，然后采用清洗試劑對半導體材料表面進行濕法清洗； S03，使用等離子刻蝕機對半導體材料表面進行等離子體刻蝕拋光處理。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文電子科技有限公司，其通訊地址為：226400 江蘇省南通市如東縣掘港街道金山路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。