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龍圖騰網獲悉山東華達新材料有限公司申請的專利一種電子級多晶硅用等靜壓石墨件的純化工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117285037B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311428964.1，技術領域涉及：C01B32/215；該發明授權一種電子級多晶硅用等靜壓石墨件的純化工藝是由趙光燮;鞠德勝;王敏;袁海云;李炳坤;劉本慶設計研發完成，并于2023-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種電子級多晶硅用等靜壓石墨件的純化工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種電子級多晶硅用等靜壓石墨件的純化工藝，具體涉及等靜壓石墨件純化技術領域，包括具體步驟：S1、抗氧化性處理，將等靜壓石墨件放入加熱爐中加熱；S2、浸泡處理；S3、清洗處理；S4、純化材料制備；S5、石墨件涂布，石墨件放置在清潔干燥的工；S6、高溫純化處理。本發明通過炭黑填充聚合物為鈦酸酯偶聯劑、硅烷偶聯劑、鋁酸酯偶聯劑、炭黑粉混合，形成抗氧化浸泡混合物，能夠在整個電子級多晶硅用等靜壓石墨件外壁形成一層防腐抗氧化層，而且保持電子級多晶硅用等靜壓石墨件具有優異的導電性能，電子級多晶硅用等靜壓石墨件耐用性有效提高。

本發明授權一種電子級多晶硅用等靜壓石墨件的純化工藝在權利要求書中公布了：1.一種電子級多晶硅用等靜壓石墨件的純化工藝，其特征在于：包括具體步驟如下： S1、抗氧化性處理，將等靜壓石墨件放入加熱爐中加熱，填充氣瓶中的氦氣進入到加熱爐內，在2-10MPa壓力下，保壓5—10min后，加熱到500-600℃保溫5—10min，再升溫到800-900℃保溫10—25min； S2、浸泡處理，將處理后的石墨件浸泡在酸性溶液中，酸性溶液淹沒石墨件，對酸性溶液加熱至40-60℃，浸泡10—25min后，取出放置在堿性溶液內浸泡15—30min并加熱40-60℃保溫5—10min； S3、清洗處理，將石墨件浸泡在無水乙醇中，無水乙醇淹沒石墨件，用軟刷輕輕擦洗石墨件表面，貼合在石墨件表面位置處擦洗5—10min，擦洗次數為5—10次，去除表面的污垢和雜質，用干凈的布擦干石墨件表面，確保表面無水漬和乙醇殘留，石墨件放置在陰涼通風處晾干； S4、純化材料制備，將鈦酸鋇70—80份、氧化鋁5—15份、納米氧化鎂5—15份、納米三氧化二鐵20—35份、納米碳酸鈣5—20份、氮化硼5—10份、陶瓷纖維1—5份放置在攪拌釜內，攪拌釜以50-80℃，按照130-150rmin，攪拌5—10min后，滴加1—5份的無水乙醇，再加入聚酰亞胺樹脂10—30份和炭黑填充聚合物,所述炭黑填充聚合物為鈦酸酯偶聯劑5—15份、硅烷偶聯劑5—10份、鋁酸酯偶聯劑10—30份、炭黑粉5—10份以50-80rmin，加熱至60-80℃，再加入環氧樹脂5—10份混合30—40min，取出冷卻至35-40℃備用，以150-180rmin，攪拌10—20min，形成抗氧化浸泡混合物； S5、石墨件涂布，石墨件放置在清潔干燥的工件表面涂布抗氧化浸泡混合物，涂布5—10次每次厚度為0.3—0.6毫米，涂布后固化，冷卻后放置5—10min； S6、高溫純化處理，將固化后的石墨件外表面撒上銀粉，利用沖壓模具石墨件外表面沖壓成型，成型后石墨件放入到高溫爐中，填充入氦氣后保持高溫爐內壓力為5-10MPa，溫度升至200-380℃加熱保溫30—40min，取出待其冷卻為室溫30—35min封裝。

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