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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學(xué)廣州研究院;西安電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種多種顏色LED陣列及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119050125B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202411150510.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H29/14；該發(fā)明授權(quán)一種多種顏色LED陣列及其制備方法是由劉先河;肖德國(guó);劉志宏;張進(jìn)成;郝躍設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種多種顏色LED陣列及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種多種顏色LED陣列及其制備方法，該陣列包括：半導(dǎo)體平面模板、第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列和異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層。該方法包括：制備半導(dǎo)體平面模板；進(jìn)行圖案化工藝處理，得到刻蝕掩模層；通過(guò)干法刻蝕對(duì)故意摻雜半導(dǎo)體平面層進(jìn)行部分刻蝕處理并去除刻蝕掩模層，得到第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列；通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法對(duì)第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列進(jìn)行外延生長(zhǎng)處理，得到異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層，制備LED陣列。本發(fā)明能夠簡(jiǎn)化緊密分布的彩色LED陣列制備工藝，避免微型LED芯片的巨量轉(zhuǎn)移，降低制備成本，提高LED器件的發(fā)光效率。本發(fā)明作為一種多種顏色LED陣列及其制備方法，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體光電器件技術(shù)領(lǐng)域。

本發(fā)明授權(quán)一種多種顏色LED陣列及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種多種顏色LED陣列，其特征在于，包括半導(dǎo)體平面模板、第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列和異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層為柱狀結(jié)構(gòu)陣列，所述半導(dǎo)體平面模板的上表面設(shè)置有所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列，所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列的上表面設(shè)置有所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層，其中： 所述半導(dǎo)體平面模板用于支撐LED陣列； 所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列呈現(xiàn)周期性排列分布并用于控制LED陣列的發(fā)光顏色； 所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層包括第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體、發(fā)光有源區(qū)和第二類(lèi)摻雜半導(dǎo)體，用于在外加電壓下進(jìn)行發(fā)光，所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體的上表面集成有所述發(fā)光有源區(qū)，所述發(fā)光有源區(qū)的上表面集成有所述第二類(lèi)摻雜半導(dǎo)體，所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體和所述第二類(lèi)摻雜半導(dǎo)體的摻雜類(lèi)型相反，其中一類(lèi)是n型摻雜，另一類(lèi)是p型摻雜，其中： 所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體用于將電子或空穴作為載流子在外加電壓下進(jìn)行電流傳導(dǎo)； 所述發(fā)光有源區(qū)用于讓電子和空穴進(jìn)行輻射復(fù)合發(fā)光； 所述第二類(lèi)摻雜半導(dǎo)體用于將空穴或電子作為載流子在外加電壓下進(jìn)行電流傳導(dǎo)； 第一摻雜類(lèi)型半導(dǎo)體和第二摻雜類(lèi)型半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子類(lèi)型不同，一類(lèi)是電子，另一類(lèi)是空穴； 所述第一類(lèi)摻雜半導(dǎo)體柱狀結(jié)構(gòu)陣列和所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件層組成LED器件結(jié)構(gòu)，所述LED器件結(jié)構(gòu)包括第一LED器件結(jié)構(gòu)、第二LED器件結(jié)構(gòu)和第三LED器件結(jié)構(gòu)，所述第一LED器件結(jié)構(gòu)、所述第二LED器件結(jié)構(gòu)和所述第三LED器件結(jié)構(gòu)均水平緊密排列于所述半導(dǎo)體平面模板的上表面，所述第一LED器件結(jié)構(gòu)、所述第二LED器件結(jié)構(gòu)和所述第三LED器件結(jié)構(gòu)之間的水平間距為0.1-50μm，其中： 所述第一LED器件結(jié)構(gòu)用于發(fā)出第一種顏色的光； 所述第二LED器件結(jié)構(gòu)用于發(fā)出第二種顏色的光； 所述第三LED器件結(jié)構(gòu)用于發(fā)出第三種顏色的光； 不同顏色的LED器件由不同直徑的按不同周期排列的柱狀結(jié)構(gòu)陣列構(gòu)成，不同顏色的LED器件發(fā)光光譜中心波長(zhǎng)的差別大于10nm，各LED器件在任一維度的尺寸為0.1μm到50μm，各LED器件的柱狀結(jié)構(gòu)直徑小于10μm。

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