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龍圖騰網獲悉中國科學院西安光學精密機械研究所申請的專利一種O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119050812B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411168520.3，技術領域涉及：H01S5/34；該發明授權一種O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器及其制備方法是由于志遠;張文富;王斌浩;任洋明設計研發完成，并于2024-08-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體激光器技術領域，具體涉及一種O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器及其制備方法。該O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器，包括硅襯底層，在硅襯底層上依次層疊有緩沖層、下波導層、下限制層、量子點有源層、上限制層、上波導層、歐姆接觸層以及電極層；所述上波導層和歐姆接觸層形成脊形波導和在脊形波導至少一側的光柵；所述量子點有源層包括InAs量子點層InGaAs勢壘層。本發明的O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器具有線寬窄，反射容忍度高，溫度穩定性高，閾值電流密度低等優點。

本發明授權一種O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種O波段硅基三五族量子點窄線寬激光器，其特征在于，包括硅襯底層，在硅襯底層上依次層疊有緩沖層、下波導層、下限制層、量子點有源層、上限制層、上波導層、歐姆接觸層以及電極層；所述上波導層和歐姆接觸層刻蝕成脊形波導和在脊形波導至少一側的光柵；所述量子點有源層包括InAs量子點層InGaAs勢壘層；所述緩沖層由下至上依次包括AlAs成核層、GaAs緩沖層和AlGaAs位錯過濾層，所述GaAs緩沖層的厚度為0.2-2μm；所述脊形波導的寬度為1.5-3μm，一側的光柵的寬度為0.5-3μm，所述光柵選用一階光柵或高階光柵，所述一階光柵的周期為180-250nm，占空比為0.35-0.75；所述脊形波導為位于中部的條形主體，所述脊形波導的兩側有對稱的沿著條形主體長度方向延伸的光柵，所述光柵的高度與上波導層的厚度一致；所述InGaAs勢壘層的厚度為2-20nm；所述AlGaAs位錯過濾層為多個AlGaAs層；所述下限制層為n型AlGaAs限制層，厚度為50-300nm，采用Si作為摻雜劑，摻雜濃度≥0.3×1018cm-2；所述上限制層為P型AlGaAs限制層，厚度為3-50nm，采用Mg作為摻雜劑，摻雜濃度≥1×1018cm-2；所述兩側光柵上遠離脊形波導的兩側以及相鄰光柵之間均填充有苯并環丁烯材料形成填充層，所述填充層的厚度與上波導層的厚度一致；所述光柵和填充層與電極層之間沉積有SiO2鈍化層，所述SiO2鈍化層上開設有金屬接觸窗口，所述金屬接觸窗口的寬度與歐姆接觸層的寬度相同，且使所述歐姆接觸層暴露出來，完成與電極層的歐姆接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院西安光學精密機械研究所，其通訊地址為：710119 陜西省西安市高新區新型工業園信息大道17號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。