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龍圖騰網獲悉上海三邦水處理技術有限公司申請的專利一種復合材料處理LED芯片廢水的工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119080292B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411197948.0，技術領域涉及：C02F9/00；該發明授權一種復合材料處理LED芯片廢水的工藝是由張程貽設計研發完成，并于2024-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種復合材料處理LED芯片廢水的工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及一種復合材料處理LED芯片廢水的工藝，屬于芯片廢水處理技術領域。本發明使用一種復合材料處理LED芯片廢水，復合材料中的殼聚糖、蛭石、活性炭和納米氧化鋁通過物理吸附和化學吸附作用，將廢水中的重金屬離子、有機污染物和懸浮物等吸附到材料表面或孔隙中，本發明先制備了殼聚糖蛭石復合物，以戊二醛為交聯劑，使殼聚糖與蛭石之間形成牢固的化學鍵結合，提高殼聚糖蛭石復合物的穩定性和機械強度，并優化了殼聚糖蛭石復合物的孔隙結構，再通過添加活性炭、納米氧化鋁和納米氧化鐵，去除廢水中的有機污染物、色度、重金屬離子的同時促進有機污染物的降解；本發明通過物理、化學和生物等多種手段的綜合運用，實現了廢水的高效凈化。

本發明授權一種復合材料處理LED芯片廢水的工藝在權利要求書中公布了：1.一種復合材料處理LED芯片廢水的工藝，其特征在于，所述工藝具體流程如下， S1：將LED芯片廢水先經過格柵進行粗過濾，去除廢水中的大顆粒雜質和沉淀物； S2：收集粗過濾后的廢水，通入調節池1，在調節池1中投入質量分數為10%的堿液；再通入調節池2，調節池2中投入質量分數為10%的酸液，收集調節處理后的廢水，向廢水中加入結合了殼聚糖、蛭石、活性炭、納米氧化鋁和納米氧化鐵的復合材料，攪拌0.5h； S3：將S2處理后的廢水通過超濾膜進行過濾，過濾后得到清液； S4：將S3得到的清液通過反滲透膜濃縮，濃縮2.5-6倍； S5：將S4濃縮后的清液通過離子交換樹脂； S6：向S5得到的清液通入臭氧殺菌，排放處理后的廢液； 其中，S2中的復合材料制備方法包括：先制備殼聚糖蛭石復合物，在制備殼聚糖蛭石復合物過程中加入戊二醛作為交聯劑，使殼聚糖與蛭石之間形成更牢固的化學鍵結合；再往聚糖蛭石復合物中添加活性炭、納米氧化鋁和納米氧化鐵，活性炭作為吸附劑，納米氧化鋁和納米氧化鐵作為催化劑，納米氧化鋁催化廢水中的有機物發生氧化反應，納米氧化鐵加速氧化反應的進行；在催化氧化過程中，活性炭表面吸附的微生物利用納米氧化鋁和納米氧化鐵催化產生的氧化劑進一步降解有機物，起到生物降解與催化氧化的結合；活性炭表面吸附的微生物還與活性炭和殼聚糖蛭石復合物結合，通過催化氧化與吸附相結合的方式去除廢水中的有機物，納米氧化鋁和納米氧化鐵通過生成難溶性沉淀物去除重金屬離子，殼聚糖蛭石復合物和活性炭參與這一過程，通過吸附作用進一步去除廢水中的重金屬污染；具體制備方法如下， S2.1：將殼聚糖溶解于醋酸溶液中，以150rmin的轉速攪拌0.5h，制得質量分數為30~50%的混合溶液A； S2.2：將蛭石在球磨機中以400rmin的轉速研磨0.5h，得到粒徑大小為150目的蛭石粉末； S2.3：將蛭石粉末放入混合溶液A中，其中蛭石和殼聚糖的質量比為2：3，再加入0.5~2wt%戊二醛，從室溫以2℃min的升溫速率緩慢升溫至60℃后攪拌2h，得到固液混合物B，將固液混合物B過濾分離，去離子水洗滌濾渣，在80℃下干燥12h，得到混合物C； S2.4：將混合物C，活性炭，納米氧化鋁和納米氧化鐵按質量比2：1：1：1混合研磨，在球磨機中以400rmin的轉速研磨0.5h，得到混合物D，混合物D的粒徑大小為150目； S2.5：將混合物D在常溫下，10MPa的壓力下壓片，得到所述復合材料。

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