聯和存儲科技(江蘇)有限公司孫文琪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯和存儲科技(江蘇)有限公司申請的專利NAND FLASH壽命的快速測試方法、系統、裝置和主機獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119724300B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411665728.6,技術領域涉及:G11C16/34;該發明授權NAND FLASH壽命的快速測試方法、系統、裝置和主機是由孫文琪;高偉設計研發完成,并于2024-11-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本NAND FLASH壽命的快速測試方法、系統、裝置和主機在說明書摘要公布了:本發明公開一種NANDFLASH壽命的快速測試方法、系統、裝置和主機,方法包括:測試設備擦除測試塊的原始數據,并將測試數據寫入測試塊;讀取測試塊得到讀取數據,并判斷讀取數據是否與測試數據一致;若讀取數據與測試數據一致,則跳過預設時間間隔,返回執行擦除測試塊的原始數據,并將測試數據寫入測試塊;若讀取數據與測試數據不一致,則將測試塊標記為壞塊,并記錄上一測試次數得到測試次數值;根據測試次數值和預設的加速因子確定NANDFLASH的實際使用壽命。本發明通過跳過預設時間間隔和利用預設的加速因子進行還原,就能快速得到NANDFLASH的實際使用壽命,縮短了測試時間,提高了測試效率。
本發明授權NAND FLASH壽命的快速測試方法、系統、裝置和主機在權利要求書中公布了:1.一種NANDFLASH壽命的快速測試方法,其特征在于,所述NANDFLASH壽命的快速測試方法包括: 測試設備擦除NANDFLASH的測試塊的原始數據,并將測試數據寫入所述測試塊,其中,所述測試設備為測試NANDFLASH壽命的設備,所述NANDFLASH包括多個存儲塊,所述測試塊為任意一個所述存儲塊; 讀取所述測試塊得到讀取數據,并判斷所述讀取數據是否與所述測試數據一致; 若所述讀取數據與所述測試數據一致,則跳過預設時間間隔,返回執行擦除NANDFLASH的測試塊的原始數據,并將測試數據寫入所述測試塊; 若所述讀取數據與所述測試數據不一致,則將所述測試塊標記為壞塊,并記錄上一測試次數得到測試次數值,其中,所述測試次數值為快速測試時NANDFLASH的加速使用壽命; 根據所述測試次數值和預設的加速因子確定所述NANDFLASH的實際使用壽命; 所述測試設備擦除NANDFLASH的測試塊的原始數據,并將測試數據寫入所述測試塊之前,還包括: 與所述NANDFLASH建立通信; 根據快速測試指令,從所述NANDFLASH的多個所述存儲塊中確定所述測試塊; 所述與所述NANDFLASH建立通信之前,還包括: 與標準NANDFLASH建立通信,其中,標準NANDFLASH為實際使用壽命達到生產要求的NANDFLASH; 根據所述標準NANDFLASH生成第一標準測試指令和第一快速測試指令; 根據所述第一標準測試指令,從所述標準NANDFLASH的多個存儲塊中確定第一測試塊; 根據所述第一快速測試指令,從所述標準NANDFLASH的多個存儲塊中確定第二測試塊; 所述根據所述第一標準測試指令,從所述標準NANDFLASH的多個存儲塊中確定第一測試塊之后,還包括: 擦除所述第一測試塊的原始數據,并將所述測試數據寫入所述第一測試塊; 讀取所述第一測試塊得到第一讀取數據,并判斷所述第一讀取數據是否與所述測試數據一致; 若所述第一讀取數據與所述測試數據一致,則在所述預設時間間隔后,返回執行擦除所述第一測試塊的原始數據,并將所述測試數據寫入所述第一測試塊; 若所述第一讀取數據與所述測試數據不一致,則將所述第一測試塊標記為壞塊,并記錄上一測試次數得到第一測試次數值,其中,所述第一測試次數值為標準測試時標準NANDFLASH的實際使用壽命; 所述根據所述第一快速測試指令,從所述標準NANDFLASH的多個存儲塊中確定第二測試塊之后,還包括: 擦除所述第二測試塊的原始數據,并將所述測試數據寫入所述第二測試塊; 讀取所述第二測試塊得到第二讀取數據,并判斷所述第二讀取數據是否與所述測試數據一致; 若所述第二讀取數據與所述測試數據一致,則跳過所述預設時間間隔,返回執行擦除所述第二測試塊的原始數據,并將所述測試數據寫入所述第二測試塊; 若所述第二讀取數據與所述測試數據不一致,則將所述第二測試塊標記為壞塊,并記錄上一測試次數得到第二測試次數值,其中,所述第二測試次數值為快速測試時標準NANDFLASH的加速使用壽命; 將所述第一測試次數值除以所述第二測試次數值得到所述預設的加速因子; 所述根據所述測試次數值和預設的加速因子確定所述NANDFLASH的實際使用壽命,包括: 將所述測試次數值乘以所述預設的加速因子得到所述NANDFLASH的實際使用壽命; 其中,對所述標準NANDFLASH進行標準測試時,沒有跳過預設時間間隔;對所述標準NANDFLASH進行快速測試時,跳過預設時間間隔。
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