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龍圖騰網獲悉長園半導體設備(珠海)有限公司申請的專利晶圓加熱盤及半導體生產線獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119852233B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510330750.3，技術領域涉及：H01L21/683；該發明授權晶圓加熱盤及半導體生產線是由陳有亮;彭博;鄧章;賴俊魁;顏智德;廖廣蘭;宿磊設計研發完成，并于2025-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶圓加熱盤及半導體生產線在說明書摘要公布了：本申請公開了一種晶圓加熱盤及半導體生產線，屬于半導體加工領域。晶圓加熱盤包括真空吸附平臺、加熱平臺、隔熱平臺、抽氣接頭和控制器。真空吸附平臺設有真空凹槽，且其下表面設有加熱平臺。隔熱平臺有第一和第二隔熱層，第二隔熱層沿邊緣設有多個彈簧壓塊，彈簧壓塊一端抵接真空吸附平臺上表面。第一、第二隔熱層分別用于隔熱和散熱，彈簧壓塊限制真空吸附平臺受熱膨脹。各平臺及隔熱層分別設有對應的第一、第二、第三、第四通道，形成真空通道，真空凹槽與真空通道連通，第四通道的一端連接抽氣接頭。控制器連接加熱平臺與抽氣接頭，用于調節加熱狀態和真空通道內氣壓，本申請能增加高溫條件下晶圓加熱盤表面的平整度，提升鍵合效果。

本發明授權晶圓加熱盤及半導體生產線在權利要求書中公布了：1.一種晶圓加熱盤，其特征在于，包括： 真空吸附平臺，所述真空吸附平臺設置有至少一個真空凹槽，所述真空吸附平臺的上表面用于放置晶圓； 加熱平臺，所述加熱平臺設置于所述真空吸附平臺的下表面； 隔熱平臺，所述隔熱平臺包括第一隔熱層和第二隔熱層，第一隔熱層設置于所述加熱平臺的下表面，所述第二隔熱層設置于所述第一隔熱層的下表面，所述第二隔熱層沿邊緣處間隔設置有若干彈簧壓塊，所述彈簧壓塊的一端與所述真空吸附平臺的上表面抵接，所述第一隔熱層用于減少所述加熱平臺的熱量外泄，所述第二隔熱層用于散發所述第一隔熱層的多余熱量，所述彈簧壓塊用于限制所述真空吸附平臺在受熱時的膨脹程度； 所述第二隔熱層沿邊緣處間隔設置有若干凸塊，所述彈簧壓塊設置于所述凸塊的上表面，所述彈簧壓塊包括固定部、活動部和彈簧，所述固定部的頂部設置為限位塊，所述限位塊的下表面設置有連接桿，所述連接桿的截面小于所述限位塊的截面，所述固定部的底部與所述凸塊的上表面連接，所述活動部的頂部凸出設置形成凸出部，所述凸出部與所述真空吸附平臺的上表面抵接，所述活動部的頂部凹陷設置形成第一限位槽，所述第一限位槽的截面與所述限位塊的截面相匹配，所述第一限位槽的底部凹陷設置形成連接通道，所述連接通道的截面小于所述第一限位槽的截面，且與所述連接桿的截面相匹配，所述彈簧的第一端與所述限位塊的下表面抵接，所述彈簧的第二端與所述第一限位槽的上表面抵接； 抽氣接頭，所述真空吸附平臺、所述加熱平臺、所述第一隔熱層、所述第二隔熱層分別設置有對應連通的第一通道、第二通道、第三通道、第四通道，從而組合形成真空通道，每個所述真空凹槽至少與一個所述真空通道連通，所述第四通道遠離所述第三通道的一端與所述抽氣接頭連接； 控制器，所述控制器分別與所述加熱平臺連接、通過氣管與所述抽氣接頭連接，所述控制器用于控制所述加熱平臺的加熱狀態和控制所述真空通道內的氣壓狀況。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長園半導體設備(珠海)有限公司，其通訊地址為：519000 廣東省珠海市高新區科技八路5號3棟(研發樓)5樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。