中核四0四成都核技術工程設計研究院有限公司;中核四0四有限公司司書堯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中核四0四成都核技術工程設計研究院有限公司;中核四0四有限公司申請的專利基于閃爍光纖的多層閃爍體探頭、探測器及方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120103408B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510374776.8,技術領域涉及:G01T1/36;該發明授權基于閃爍光纖的多層閃爍體探頭、探測器及方法是由司書堯;陳俊良;胡云平;鐘軼強;李連順;楊廷貴;王健;劉延彰;周旺;孟紀群;萬生坤;楊月設計研發完成,并于2025-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于閃爍光纖的多層閃爍體探頭、探測器及方法在說明書摘要公布了:本申請提供了基于閃爍光纖的多層閃爍體探頭、探測器及方法,屬于核探測技術領域,其中探頭包括探頭主體,所述探頭主體包括第一閃爍光纖層、第二層閃爍體及第三層閃爍體,所述第二層閃爍體設置于所述第一閃爍光纖層和所述第三層閃爍體之間,所述第一閃爍光纖層用于甄別γ粒子和β粒子,所述第二層閃爍體用于吸收穿過所述第一閃爍光纖層的β粒子,所述第三層閃爍體用于測量γ粒子。能夠實現β?γ混合場中β粒子和γ粒子的識別,實現β?γ混合場中的β粒子能譜和γ粒子能譜的同時準確測量。
本發明授權基于閃爍光纖的多層閃爍體探頭、探測器及方法在權利要求書中公布了:1.一種基于閃爍光纖的多層閃爍體探頭,其特征在于,包括探頭主體,所述探頭主體包括第一閃爍光纖層1、第二層閃爍體2及第三層閃爍體3,所述第二層閃爍體2設置于所述第一閃爍光纖層1和所述第三層閃爍體3之間,所述第一閃爍光纖層1用于甄別γ粒子和β粒子,所述第二層閃爍體2用于吸收穿過所述第一閃爍光纖層1的β粒子,所述第三層閃爍體3用于測量γ粒子; 所述探頭主體還包括聚酯薄膜7,所述第二層閃爍體2和第三層閃爍體3外表面均由所述聚酯薄膜7包裹; 所述探頭還包括硅光電倍增管4、信號放大板5以及信號輸出頭6,所述第一閃爍光纖層1、所述第二層閃爍體2及所述第三層閃爍體3與所述硅光電倍增管4一一對應布置,其中一個所述硅光電倍增管4與所述第一閃爍光纖層1連接,另外兩個所述硅光電倍增管4穿過所述聚酯薄膜7后分別與對應的所述第二層閃爍體2及所述第三層閃爍體3連接,所述信號放大板5與所述硅光電倍增管4連接,所述信號輸出頭6設置于所述信號放大板5背離所述硅光電倍增管4的表面上。
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