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          當前位置 : 首頁 > 專利喜報 > 天津工業(yè)大學(xué)楊杰獲國家專利權(quán)

          天津工業(yè)大學(xué)楊杰獲國家專利權(quán)

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          龍圖騰網(wǎng)獲悉天津工業(yè)大學(xué)申請的專利一種芯片結(jié)構(gòu)和制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120076512B

          龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510519700.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H20/816;該發(fā)明授權(quán)一種芯片結(jié)構(gòu)和制備方法是由楊杰;劉宗迪;牛萍娟設(shè)計研發(fā)完成,并于2025-04-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

          一種芯片結(jié)構(gòu)和制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種同時提高深紫外LED晶體質(zhì)量和注入效率的芯片結(jié)構(gòu)和制備方法。所述芯片結(jié)構(gòu)包括襯底,在襯底上設(shè)有緩沖層,在緩沖層的上方設(shè)有多量子阱層,在多量子阱層的側(cè)面設(shè)有n型摻雜層,在n型摻雜層的上方設(shè)有n型接觸電極;在所述多量子阱層內(nèi)插設(shè)有若干個p型摻雜層插頭,在p型摻雜層插頭和多量子阱層的上方設(shè)有p型摻雜層,在p型摻雜層上設(shè)有p型接觸電極;在整個結(jié)構(gòu)的上表面設(shè)有鈍化層,加厚金屬電極穿設(shè)于鈍化層且位于n型接觸電極和p型接觸電極上。本發(fā)明能夠同時改善多量子阱層中空穴注入不足和提高多量子阱層的晶體質(zhì)量。

          本發(fā)明授權(quán)一種芯片結(jié)構(gòu)和制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種同時提高深紫外LED晶體質(zhì)量和注入效率的芯片結(jié)構(gòu),包括襯底(1),其特征在于:在襯底(1)上設(shè)有緩沖層(2),在緩沖層(2)的上方設(shè)有多量子阱層(3),在多量子阱層(3)的側(cè)面設(shè)有n型摻雜層(4),在n型摻雜層(4)的上方設(shè)有n型接觸電極(7);在所述多量子阱層(3)內(nèi)插設(shè)有p型摻雜層插頭(5),在p型摻雜層插頭(5)和多量子阱層(3)的上方設(shè)有p型摻雜層(6),在p型摻雜層(6)上設(shè)有p型接觸電極(8);在整個結(jié)構(gòu)的上表面設(shè)有鈍化層(9),加厚金屬電極(10)穿設(shè)于鈍化層(9)且位于n型接觸電極(7)和p型接觸電極(8)上; 所述多量子阱層(3)為AlxGa1-xNAlyGa1-yN的多量子阱層,其中,0x1,0y1;所述多量子阱層(3)的阱層和壘層周期數(shù)為m,其中,1≤m≤10,m為整數(shù);所述多量子阱層(3)的阱層厚度為0.5-5nm,多量子阱層(3)的壘層厚度為5-15nm; 所述n型摻雜層(4)的厚度與多量子阱層(3)厚度相同; 所述p型摻雜層插頭(5)插入到多量子阱層(3)的深度至第X個量子阱中,其中,0X≤10,X為整數(shù); 同時提高深紫外LED晶體質(zhì)量和注入效率的芯片結(jié)構(gòu)的制備方法,包括以下步驟: S1.在襯底(1)上依次外延生長緩沖層(2)和多量子阱層(3); S2.在多量子阱層(3)邊緣區(qū)域向下進行刻蝕,直至緩沖層(2),形成n型摻雜層(4)再生長區(qū)域,用于生長后續(xù)n型摻雜層(4); S3.在多量子阱層(3)側(cè)面的緩沖層(2)上進行選區(qū)外延生長n型摻雜層(4); S4.在多量子阱層(3)中進行刻蝕,形成p溝槽,用于生長后續(xù)p型摻雜層插頭(5)和p型摻雜層(6); S5.在刻蝕后的多量子阱層(3)上分別外延生長p型摻雜層插頭(5)和p型摻雜層(6); S6.在n型摻雜層(4)和p型摻雜層(6)上表面分別制備n型接觸電極(7)和p型接觸電極(8); S7.將鈍化層(9)覆蓋于整個結(jié)構(gòu)的上表面,用于保護多量子阱層(3)及分隔n型摻雜層(4)和p型摻雜層(6),并在n型接觸電極(7)與p型接觸電極(8)處開設(shè)電極窗口,再在電極窗口沉積加厚金屬電極(10)。

          如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人天津工業(yè)大學(xué),其通訊地址為:300387 天津市西青區(qū)賓水西道399號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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