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龍圖騰網(wǎng)獲悉榮芯半導(dǎo)體(寧波)有限公司申請(qǐng)的專利套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)及套刻誤差測(cè)量方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120178617B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510655265.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/20；該發(fā)明授權(quán)套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)及套刻誤差測(cè)量方法是由江凡設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)及套刻誤差測(cè)量方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)及套刻誤差測(cè)量方法，所述套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)包括前層套刻標(biāo)記和當(dāng)層套刻標(biāo)記，所述前層套刻標(biāo)記包括多個(gè)第一子套刻標(biāo)記，所述當(dāng)層套刻標(biāo)記包括多個(gè)第二子套刻標(biāo)記，多個(gè)所述第一子套刻標(biāo)記構(gòu)成內(nèi)部中空的第一方形，多個(gè)所述第二子套刻標(biāo)記構(gòu)成內(nèi)部中空的第二方形，所述第一方形包圍所述第二方形，且所述第一方形與所述第二方形的中心重合；每個(gè)所述第一子套刻標(biāo)記均包括多個(gè)填充有標(biāo)記材料的溝槽。本發(fā)明通過(guò)多個(gè)溝槽的設(shè)置來(lái)減少刻蝕時(shí)的負(fù)載效應(yīng)問(wèn)題，增加前層套刻標(biāo)記位置處的刻蝕深度，從而保證前層套刻標(biāo)記的完整可識(shí)別。

本發(fā)明授權(quán)套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)及套刻誤差測(cè)量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種套刻標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括前層套刻標(biāo)記和當(dāng)層套刻標(biāo)記，所述前層套刻標(biāo)記包括多個(gè)第一子套刻標(biāo)記，所述當(dāng)層套刻標(biāo)記包括多個(gè)第二子套刻標(biāo)記，多個(gè)所述第一子套刻標(biāo)記構(gòu)成內(nèi)部中空的第一方形，多個(gè)所述第二子套刻標(biāo)記構(gòu)成內(nèi)部中空的第二方形，所述第一方形包圍所述第二方形，且所述第一方形與所述第二方形的中心重合；每個(gè)所述第一子套刻標(biāo)記均包括多個(gè)填充有標(biāo)記材料的溝槽； 所述溝槽的截面呈條形；一部分所述溝槽在第一方向上延伸且在第二方向上規(guī)則排列構(gòu)成第一組溝槽，一部分所述溝槽在第二方向上延伸且在第一方向上規(guī)則排列構(gòu)成第二組溝槽，所述第一子套刻標(biāo)記包括兩個(gè)第一組溝槽與兩個(gè)第二組溝槽，第一個(gè)所述第一組溝槽與第一個(gè)所述第二組溝槽構(gòu)成第一行，第二個(gè)所述第二組溝槽與第二個(gè)所述第一組溝槽構(gòu)成第二行，且所述條形的中間區(qū)域的寬度小于兩側(cè)邊緣區(qū)域的寬度；所述第一方向與所述第二方向相垂直。

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