蘇州晨暉智能設備有限公司閆洪嘉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州晨暉智能設備有限公司申請的專利一種直拉法連續加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120273017B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510773014.5，技術領域涉及：C30B15/12；該發明授權一種直拉法連續加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置是由閆洪嘉;李濤勇設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種直拉法連續加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種直拉法連續加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置。第一坩堝的主體在x?y平面呈環形，并設有一個或多個z向開口、在水平面截面呈環形或環缺形的料槽，在料槽下方配備多條向下的疏流通道，疏流通道與料槽結合部附近設有過濾孔板。該設計具備諸多優勢：系統熱效率高，熔料坩堝與拉晶坩堝上下緊臨，消除內層石英隔壁熱阻，降低能耗；熔硅氧含量低，通過優化坩堝溫度場、控制熔體對流、擴大自由液面促進氧揮發，并配合分段加熱實現精準調控；工藝參數獨立可調，兩坩堝分層設計使二者相互干擾?。焕Х€定性高，大熔硅液面促進雜質顆粒揮發，疏流通道延長遷徙路徑和過濾孔板阻擋作用有效抑制晶變缺陷。
本發明授權一種直拉法連續加料生長硅單晶的第一坩堝及其熔料和拉晶裝置在權利要求書中公布了：1.一種直拉法連續加料生長硅單晶的熔料和拉晶裝置，其特征在于，包括第一坩堝、第二坩堝、加料管道、碳質堝幫、碳質堝底、第二加熱器和導流控溫屏；其中熔料的第一坩堝位于拉晶的第二坩堝之上，所述第一坩堝與所述第二坩堝同軸布置，所述第一坩堝的主體在x-y平面截面呈環形，所述環形包括類圓形環、類橢圓形環或類多邊形環，所述第一坩堝設有一個或多個z向開口、在水平面截面呈環形或環缺形的料槽，所述料槽在熔硅自由液面之上，在所述料槽下方設有至少一條向下的疏流通道，所述疏流通道與料槽結合部附近設有過濾孔板；所述料槽外底部與所述第二坩堝上沿在z方向上的間距小于150mm；所述料槽內環邊外壁為在xoz截面上呈斜線或弧線的氣流導流面，所述斜線或弧線自下而上的傾角α為20°~85°。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州晨暉智能設備有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區金雞湖大道88號G3-2401；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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