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龍圖騰網獲悉甬矽半導體(寧波)有限公司申請的專利2.5D封裝結構和2.5D封裝結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120319744B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510796599.2，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權2.5D封裝結構和2.5D封裝結構的制備方法是由徐玉鵬設計研發完成，并于2025-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本2.5D封裝結構和2.5D封裝結構的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種2.5D封裝結構和2.5D封裝結構的制備方法，涉及芯片封裝技術領域，該2.5D封裝結構包括基底組合布線層、第一芯片、覆膜層、第二芯片和塑封層，基底組合布線層上設置有第一焊盤和第二焊盤，且第二焊盤的中部設置有對位凹槽；第一芯片貼合于第一焊盤；覆膜層至少覆蓋在第一芯片的側壁，且覆膜層部分覆蓋在第二焊盤上，并設置有露出對位凹槽的開孔；第二芯片貼合于第二焊盤；塑封層設置在覆膜層上。相較于現有技術，本發明能夠單獨對第一芯片覆膜，同時沖孔形成露出對位凹槽的開孔，方便第二芯片對位貼裝與第二焊盤，并使得第二芯片的第二導電凸起與對位凹槽接合實現電連接。從而避免同時對多個芯片覆膜帶來負面問題。

本發明授權2.5D封裝結構和2.5D封裝結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種2.5D封裝結構，其特征在于，包括： 基底組合布線層，所述基底組合布線層的一側表面設置有第一貼裝區域和第二貼裝區域，另一側表面設置有焊球，所述第二貼裝區域位于所述第一貼裝區域的至少一側，所述第一貼裝區域設置有第一焊盤，所述第二貼裝區域設置有第二焊盤，且所述第二焊盤的中部設置有對位凹槽； 第一芯片，所述第一芯片貼合在所述第一貼裝區域，且所述第一芯片的底側設置有第一導電凸起，所述第一導電凸起對應貼合于所述第一焊盤； 覆膜層，所述覆膜層設置在所述基底組合布線層的一側表面，并至少覆蓋在所述第一芯片的側壁，以使所述第一芯片和所述基底組合布線層的表面之間形成空腔，且所述覆膜層部分覆蓋在所述第二焊盤上，并設置有露出所述對位凹槽的開孔； 第二芯片，所述第二芯片貼合在所述第二貼裝區域，且所述第二芯片的底側設置有第二導電凸起，所述第二導電凸起對應貼合于所述第二焊盤，并穿過所述開孔接合至所述對位凹槽； 塑封層，所述塑封層設置在所述覆膜層上，并包覆于所述第一芯片和所述第二芯片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人甬矽半導體(寧波)有限公司，其通訊地址為：315400 浙江省寧波市余姚市中意寧波生態園濱海大道60號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。