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龍圖騰網獲悉日月新半導體(威海)有限公司申請的專利一種功率器件的封裝體及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120319668B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510803804.3，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權一種功率器件的封裝體及其制備方法是由錢進;劉振東;田亞南設計研發完成，并于2025-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率器件的封裝體及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種功率器件的封裝體及其制備方法，涉及半導體技術領域，在本發明的功率器件的封裝體的制備方法中，通過設置第一散熱器包括導熱基板本體、第一散熱部、導熱連接部以及第二導熱部，所述導熱連接部的一端連接所述導熱基板本體，所述導熱連接部的另一端連接所述第二導熱部，將各第一散熱器分別設置在相應的功率芯片上，且使得各第一散熱器的第二導熱部設置在存儲芯片上。通過上述設置方式，大大降低了制造成本，改變了功率器件封裝體的工作方式，有效提高了功率器件封裝體的穩定性，且有效延長其使用壽命。

本發明授權一種功率器件的封裝體及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率器件的封裝體的制備方法，其特征在于：所述功率器件的封裝體的制備方法包括以下步驟： 提供一導電電路基板，所述導電電路基板上設置多個導電焊盤； 在所述導電電路基板上設置存儲芯片，在所述存儲芯片的一側設置第一功率芯片，在所述存儲芯片的另一側設置第二功率芯片； 形成第一封裝層，所述第一封裝層包裹所述存儲芯片、所述第一功率芯片以及所述第二功率芯片； 對所述存儲芯片的上表面進行刻蝕處理，以在所述存儲芯片的所述上表面的一側形成多個第一凹槽，并在所述存儲芯片的所述上表面的另一側形成多個第二凹槽； 接著在每個所述第一凹槽中設置第一導熱塊，并在每個所述第二凹槽中設置第二導熱塊； 提供兩個第一散熱器，所述第一散熱器包括導熱基板本體、第一散熱部、導熱連接部以及第二導熱部，第一散熱部設置在所述導熱基板本體上，所述導熱連接部的一端連接所述導熱基板本體，所述導熱連接部的另一端連接所述第二導熱部； 將兩個所述第一散熱器分別設置在所述第一功率芯片以及所述第二功率芯片上，使得每個所述第一散熱器的所述導熱基板本體設置在相應的功率芯片上，且使得每個所述第一散熱器的所述第二導熱部設置在所述存儲芯片上，其中，所述第一功率芯片上的所述第一散熱器的所述第二導熱部與所述第一導熱塊接觸，且所述第二功率芯片上的所述第一散熱器的所述第二導熱部與所述第二導熱塊接觸， 形成第二封裝層，所述第二封裝層包裹所述第一散熱器的所述導熱基板本體。

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