蘇州元腦智能科技有限公司王天成獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州元腦智能科技有限公司申請的專利離子束刻蝕裝置及參數分析方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120356809B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510846460.4，技術領域涉及：H01J37/08；該發明授權離子束刻蝕裝置及參數分析方法是由王天成;陳曦;王月設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本離子束刻蝕裝置及參數分析方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種離子束刻蝕裝置及參數分析方法，涉及半導體技術領域，離子束刻蝕裝置包括：成膜真空室、刻蝕離子源、試樣載物裝置、電場發生裝置和磁場發生裝置；成膜真空室提供穩定真空環境，刻蝕離子源產生高能離子束，試樣載物裝置位于刻蝕離子源的發射端的正下方的位置保證離子束垂直入射；磁場發生裝置與電場發生裝置協同工作，通過調整場強與方向調控離子的運動軌跡，優化離子束分布，使離子更精準地作用于樣品表面，有效提高刻蝕均勻性和刻蝕效率。
本發明授權離子束刻蝕裝置及參數分析方法在權利要求書中公布了：1.一種離子束刻蝕裝置，其特征在于，包括：成膜真空室（101）、刻蝕離子源（102）、試樣載物裝置（103）、電場發生裝置（104）和磁場發生裝置（105）； 所述刻蝕離子源（102）固定設置于所述成膜真空室（101）內部，所述刻蝕離子源（102）用于在真空條件下產生刻蝕離子束； 所述試樣載物裝置（103）固定設置于所述成膜真空室（101）內部，位于所述刻蝕離子源（102）的發射端的正下方的位置； 所述電場發生裝置（104）固定于所述試樣載物裝置（103）底部，所述電場發生裝置（104）用于產生電場對離子束施加電場力改變離子運動方向； 所述磁場發生裝置（105）套設于所述成膜真空室（101）外側，所述磁場發生裝置（105）用于與電場發生裝置（104）共同作用改變離子的運動方向和軌跡；所述磁場發生裝置（105）的中心高度為與所述試樣載物裝置（103）在同一水平高度或低于所述試樣載物裝置（103）水平高度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州元腦智能科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市吳中經濟開發區綜保區經一路1號8幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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