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龍圖騰網獲悉杰創半導體(蘇州)有限公司;江西杰創半導體有限公司申請的專利一種高速防串擾集成芯片及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120414265B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510929207.5，技術領域涉及：H01S5/20；該發明授權一種高速防串擾集成芯片及其制作方法是由祝進田設計研發完成，并于2025-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高速防串擾集成芯片及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體開發技術領域，具體涉及一種高速防串擾集成芯片及其制作方法，在襯底上生長底層結構、波導層及光柵結構，在光柵結構表面并列生長激光器量子阱結構和調制器的量子阱結構，刻蝕掉調制器區和激光器區的兩側邊緣部分，構造出波導臺階，并在波導臺階兩側填充生長電流阻擋層，在波導臺階頂部生長P型歐姆接觸層，再次刻蝕調制器和激光器的兩側邊緣部分直至暴露底層結構表面，形成芯片波導；分別制作激光器和調制器的電極；并通過減薄、解離形成Bar條，端面鍍膜完成芯片制備。通過將激光器光柵制作在量子阱層的下方，設置溝槽將激光器和調制器斷開，降低激光器的閾值電流，提高激光器的輸出功率，避免激光器和調制器之間電信號串擾。

本發明授權一種高速防串擾集成芯片及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種高速防串擾集成芯片的制作方法，其特征在于，包括： 在襯底上通過外延生長獲得底層結構，在底層結構上生長有波導層； 在波導層表面制作光柵結構，在光柵結構表面外延生長第一量子阱結構； 刻蝕掉部分的第一量子阱結構，并在刻蝕空留區域內外延生長第二量子阱結構， 第二量子阱結構和保留的第一量子阱結構沿長度方向前后并列設置，從上至下刻蝕直至暴露底層結構表面，刻蝕掉第一量子阱結構、第二量子阱結構、光柵層及波導層沿長度方向的兩側邊緣部分，保留并列接觸的中間區域，構造為波導臺階； 在刻蝕掉的兩側邊緣部分，填充電流阻擋層，并在電流阻擋層上外延生長P型歐姆接觸層； 從上至下刻蝕去除電流阻擋層和P型歐姆接觸層的兩側邊緣部分，保留并列接觸的中間區域，構造出芯片波導；從上至下刻蝕溝槽，將芯片波導分為并列獨立的激光器區和調制器區，且激光器區的長度大于調制器區的長度； 所述溝槽從上至下越過波導層直至暴露底層結構表面，且所述溝槽的長度不小于芯片波導的寬度； 所述激光器區的激光器波導結構靠近調制器區的端面和所述調制器區的調制器波導結構靠近激光器區的端面，其中至少一個端面構造為多斜面尖端結構，以避免信號在激光器和調制器之間來回傳遞； 刻蝕芯片波導構造獨立的激光器波導和調制器波導； 所述調制器區的調制器波導結構靠近外部光纖的端面構造為多斜面尖端結構，以避免光信號在調制器和光纖之間來回傳遞； 分別制作激光器和調制器的電極，并通過后處理操作完成芯片制備。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杰創半導體(蘇州)有限公司;江西杰創半導體有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿易試驗區蘇州片區金雞湖大道99號納米城西北區11棟406室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。