索尼半導體解決方案公司渡部泰一郎獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉索尼半導體解決方案公司申請的專利成像元件、層疊式成像元件和固態(tài)成像裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115332279B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202211012430.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10F39/18;該發(fā)明授權(quán)成像元件、層疊式成像元件和固態(tài)成像裝置是由渡部泰一郎;古閑史彥;伊東恭佑;富樫秀晃;杉森友策設(shè)計研發(fā)完成,并于2018-06-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本成像元件、層疊式成像元件和固態(tài)成像裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及成像元件、層疊式成像元件和固態(tài)成像裝置。其中,成像元件可包括:光電轉(zhuǎn)換單元,所述光電轉(zhuǎn)換單元包括層疊的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層和第二電極,其中,所述光電轉(zhuǎn)換單元還包括電荷存儲電極,所述電荷存儲電極被布置成與所述第一電極分離并且布置成經(jīng)由絕緣層面向所述光電轉(zhuǎn)換層,并且所述光電轉(zhuǎn)換層的位于所述第一電極和所述電荷存儲電極之間的區(qū)域中的電荷遷移率的值大于所述光電轉(zhuǎn)換層的位于所述成像元件和相鄰成像元件之間的區(qū)域中的電荷遷移率的值。
本發(fā)明授權(quán)成像元件、層疊式成像元件和固態(tài)成像裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種成像元件,其包括: 光電轉(zhuǎn)換單元,所述光電轉(zhuǎn)換單元包括層疊的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層和第二電極,其中, 所述光電轉(zhuǎn)換單元還包括電荷存儲電極,所述電荷存儲電極被布置成與所述第一電極分離并且布置成經(jīng)由絕緣層面向所述光電轉(zhuǎn)換層,并且 所述光電轉(zhuǎn)換層的位于所述第一電極和所述電荷存儲電極之間的區(qū)域中的電荷遷移率的值大于所述光電轉(zhuǎn)換層的位于所述成像元件和相鄰成像元件之間的區(qū)域中的電荷遷移率的值。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人索尼半導體解決方案公司,其通訊地址為:日本神奈川縣;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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