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龍圖騰網(wǎng)獲悉英特爾公司申請的專利用于先進的集成電路結(jié)構(gòu)制造的鰭末端插塞結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN109860189B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811306956.9，技術領域涉及：H10D84/85；該發(fā)明授權(quán)用于先進的集成電路結(jié)構(gòu)制造的鰭末端插塞結(jié)構(gòu)是由B.何;C-K.黃;E.湯普森;J.盧斯;M.L.哈滕多夫;C.P.奧思設計研發(fā)完成，并于2018-11-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于先進的集成電路結(jié)構(gòu)制造的鰭末端插塞結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了用于先進的集成電路結(jié)構(gòu)制造的鰭末端插塞結(jié)構(gòu)。本公開的實施例屬于先進的集成電路結(jié)構(gòu)制造的領域，并且尤其是10納米節(jié)點以及更小的集成電路結(jié)構(gòu)制造和所得到的結(jié)構(gòu)的領域。在示例中，集成電路結(jié)構(gòu)包括在鰭的第一末端之上的第一隔離結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)在所述鰭之上，并且沿著所述方向與第一隔離結(jié)構(gòu)間隔開。第二隔離結(jié)構(gòu)處于鰭的第二末端之上，第二末端與第一末端相對。將第二隔離結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)間隔開。第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)二者都包括第一電介質(zhì)材料，其側(cè)向環(huán)繞與第一電介質(zhì)材料不同的凹陷的第二電介質(zhì)材料。所述凹陷的第二電介質(zhì)材料側(cè)向環(huán)繞與第一和第二電介質(zhì)材料不同的第三電介質(zhì)材料的至少一部分。

本發(fā)明授權(quán)用于先進的集成電路結(jié)構(gòu)制造的鰭末端插塞結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括： 包含硅的鰭，所述鰭具有頂部和側(cè)壁，其中所述頂部具有沿著一方向的最長尺寸； 在所述鰭的第一末端之上的第一隔離結(jié)構(gòu)，其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)的一部分位于所述鰭的頂部和側(cè)壁的第一部分上，并且其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)的頂面位于所述鰭的所述頂部上方； 柵極結(jié)構(gòu)，其包括在所述鰭的頂部之上并且與所述鰭的一區(qū)域的側(cè)壁側(cè)向相鄰的柵電極，其中沿著所述方向?qū)⑺鰱艠O結(jié)構(gòu)與第一隔離結(jié)構(gòu)間隔開；以及 在所述鰭的第二末端之上的第二隔離結(jié)構(gòu)，第二末端與第一末端相對，其中所述第二隔離結(jié)構(gòu)的一部分位于所述鰭的頂部和側(cè)壁的第二部分上，沿著所述方向?qū)⒌诙綦x結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)間隔開，其中所述第二隔離結(jié)構(gòu)的頂面位于所述鰭的所述頂部上方，以及其中第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)二者都包括第一電介質(zhì)材料，其側(cè)向環(huán)繞與第一電介質(zhì)材料不同的凹陷的第二電介質(zhì)材料，所述凹陷的第二電介質(zhì)材料側(cè)向環(huán)繞與第一和第二電介質(zhì)材料不同的第三電介質(zhì)材料的至少一部分。

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