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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利用于高級集成電路結構制造的雙金屬柵極結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109860185B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811297672.8，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權用于高級集成電路結構制造的雙金屬柵極結構是由J·S·萊布;J·胡;A·達斯古普塔;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特設計研發完成，并于2018-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于高級集成電路結構制造的雙金屬柵極結構在說明書摘要公布了：本公開的實施例屬于高級集成電路結構制造的領域，并且具體而言屬于10納米節點和更小的集成電路結構制造和所得結構的領域。在示例中，一種集成電路結構包括半導體襯底，所述半導體襯底包括具有從其突出的半導體鰭狀物的N阱區。溝槽隔離層在所述半導體襯底上、包圍所述半導體鰭狀物，其中所述半導體鰭狀物在所述溝槽隔離層上方延伸。柵極電介。質層在所述半導體鰭狀物之上。導電層在所述半導體鰭狀物之上的所述柵極電介質層之上，所述導電層包括鈦、氮和氧。P型金屬柵極層在所述半導體鰭狀物之上的所述導電層之上。

本發明授權用于高級集成電路結構制造的雙金屬柵極結構在權利要求書中公布了：1.一種集成電路結構，包括： 半導體襯底，所述半導體襯底包括具有從其突出的第一半導體鰭狀物的N阱區以及具有從其突出的第二半導體鰭狀物的P阱區，所述第一半導體鰭狀物與所述第二半導體鰭狀物間隔開，其中，所述N阱區在所述半導體襯底中與所述P阱區直接相鄰； 溝槽隔離層，其在所述半導體襯底上、在所述第一半導體鰭狀物和所述第二半導體鰭狀物的外部并在所述第一半導體鰭狀物和所述第二半導體鰭狀物之間，其中，所述第一半導體鰭狀物和所述第二半導體鰭狀物在所述溝槽隔離層上方延伸； 柵極電介質層，其在所述第一半導體鰭狀物和所述第二半導體鰭狀物上并在所述溝槽隔離層上，其中，所述柵極電介質層在所述第一半導體鰭狀物和所述第二半導體鰭狀物之間是連續的； 導電層，其在所述第一半導體鰭狀物之上的所述柵極電介質層之上，但不在所述第二半導體鰭狀物之上的所述柵極電介質層之上，所述導電層包括鈦、氮和氧； p型金屬柵極層，其在所述第一半導體鰭狀物之上的所述導電層之上，但不在所述第二半導體鰭狀物之上的所述導電層之上，其中，所述p型金屬柵極層進一步在所述溝槽隔離層的一部分而非全部上； 在所述第二半導體鰭狀物之上的n型金屬柵極層，其中，所述n型金屬柵極層進一步在所述溝槽隔離層之上并在所述p型金屬柵極層之上；以及 所述溝槽隔離層上方的層間電介質ILD層，所述層間電介質層具有開口，所述開口暴露所述第一半導體鰭狀物和所述第二半導體鰭狀物，其中，所述導電層、所述p型金屬柵極層和所述n型金屬柵極層進一步沿所述開口的側壁形成，并且其中，所述導電層沿所述開口的側壁具有頂表面，所述頂表面低于所述p型金屬柵極層和所述n型金屬柵極層沿所述開口的側壁的頂表面。

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