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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請的專利背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件、制備及測試裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110726484B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：201911088568.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01J11/00；該發(fā)明授權(quán)背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件、制備及測試裝置是由李浩;周后榮;尤立星;王鎮(zhèn)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-11-08向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件、制備及測試裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件、制備及測試裝置，背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件包括器件光敏區(qū)域及定位環(huán)。測試裝置包括封裝件及套管，背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件固定于封裝件中，并通過套管與封裝件及光纖插頭的連接，使得光纖插頭的中心與背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件的中心位于同一垂線上。本發(fā)明制備具有特殊形貌的背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件并與測試裝置配合應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)高穩(wěn)定性的自對準(zhǔn)光耦合；且利用μm級的標(biāo)記刻度尺，結(jié)合光學(xué)顯微鏡可以直接量化對光誤差，使得對光誤差控制在μm量級。

本發(fā)明授權(quán)背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件、制備及測試裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件，其特征在于，所述背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件包括： 器件光敏區(qū)域； 定位環(huán)，所述定位環(huán)包括至少一個(gè)定位環(huán)開口，所述定位環(huán)貫穿所述背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件，且所述定位環(huán)位于所述器件光敏區(qū)域的外圍； 所述器件光敏區(qū)域的中心包括標(biāo)記刻度尺，通過所述標(biāo)記刻度尺將對光精度量化； 所述定位環(huán)的中心與所述器件光敏區(qū)域的中心位于同一垂線上； 所述背面光耦合超導(dǎo)納米線單光子探測器件的制備方法包括以下步驟： 提供襯底，所述襯底包括第一表面及與所述第一表面對應(yīng)設(shè)置的第二表面； 于所述襯底的第一表面上形成超導(dǎo)納米線； 于所述襯底的第一表面上形成金屬反射鏡光學(xué)腔； 于所述襯底的第二表面上形成光刻膠，圖形化所述光刻膠，且以圖形化的所述光刻膠作為掩膜，進(jìn)行刻蝕，形成定位環(huán)； 所述標(biāo)記刻度尺在形成所述超導(dǎo)納米線的同時(shí)形成，且所述標(biāo)記刻度尺顯露于所述金屬反射鏡光學(xué)腔，以通過所述標(biāo)記刻度尺將對光精度量化。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區(qū)長寧路865號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。