索尼半導體解決方案公司八木慎一郎獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉索尼半導體解決方案公司申請的專利傳感器芯片和電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113474895B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080016433.X，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權傳感器芯片和電子設備是由八木慎一郎;大竹悠介;伊東恭佑設計研發完成，并于2020-03-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本傳感器芯片和電子設備在說明書摘要公布了：提供了一種具有雪崩光電二極管元件的SPAD像素的特性得到改善的傳感器芯片和電子設備。傳感器芯片設置有：像素陣列部，其具有其中以矩陣形狀布置有多個像素的像素區域；雪崩光電二極管元件，其通過提供給像素的高電場區域分別放大載流子；像素間分離部，其絕緣和分離形成有雪崩光電二極管元件的半導體基板中的各個像素和與之相鄰的另一個像素；配線，其分別設置在相對于半導體基板的與光接收面相對的一側的表面層疊的布線層上，以覆蓋至少高電場區域。像素陣列部具有位于像素區域的外圍邊緣附近的偽像素區域。在偽像素區域中布置的各個雪崩光電二極管元件的陰極電位和陽極電位彼此相等，或陰極電位和或陽極電位是浮動的。
本發明授權傳感器芯片和電子設備在權利要求書中公布了：1.一種傳感器芯片，包括： 像素陣列部，其包括按行列狀布置有多個像素的像素區域； 雪崩光電二極管元件，其通過針對各個所述像素設置的高電場區域放大載流子； 像素間分離部，其絕緣和分離形成有所述雪崩光電二極管元件的半導體基板中的各個所述像素和與之相鄰的其他像素；和 配線，其以至少覆蓋所述高電場區域的方式布置在配線層中，所述配線層層疊在與所述半導體基板的光接收面相對的表面上， 其中，所述像素陣列部包括位于所述像素區域的外圍邊緣附近的偽像素區域，并且 布置在所述偽像素區域中的所述雪崩光電二極管元件的陰極電位和陽極電位為相同電位，或陰極電位和陽極電位中的至少一者處于浮動狀態。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索尼半導體解決方案公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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