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龍圖騰網(wǎng)獲悉桑迪士克科技有限責(zé)任公司申請的專利包含用于接觸通孔結(jié)構(gòu)的介電阱結(jié)構(gòu)的多層三維存儲器器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114730773B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080080239.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/27；該發(fā)明授權(quán)包含用于接觸通孔結(jié)構(gòu)的介電阱結(jié)構(gòu)的多層三維存儲器器件及其形成方法是由水谷祐樹;廣居雅之;外山史晃設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-06-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包含用于接觸通孔結(jié)構(gòu)的介電阱結(jié)構(gòu)的多層三維存儲器器件及其形成方法在說明書摘要公布了：在襯底上方形成第一絕緣層和第一間隔物材料層的第一豎直交替序列以及第一層后向階梯式介電材料部分。該第一間隔物材料層形成為第一導(dǎo)電層，或者隨后被該第一導(dǎo)電層替換。在該第一豎直交替序列和該第一層后向階梯式介電材料部分上方形成第二絕緣層和第二間隔物材料層的第二豎直交替序列以及第二層后向階梯式介電材料部分。該第二間隔物材料層形成為第二導(dǎo)電層，或者隨后被該第二導(dǎo)電層替換。穿過該第二豎直交替序列在該第一層后向階梯式介電材料部分上方形成開口，并且用介電阱結(jié)構(gòu)填充該開口。可穿過該介電阱結(jié)構(gòu)和該第一層后向階梯式介電材料部分在該第一導(dǎo)電層上形成接觸通孔結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)包含用于接觸通孔結(jié)構(gòu)的介電阱結(jié)構(gòu)的多層三維存儲器器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種三維存儲器器件，其特征在于，所述三維存儲器器件包括： 第一絕緣層和第一導(dǎo)電層的第一層交替堆疊，所述第一層交替堆疊定位在襯底上方； 第一層后向階梯式介電材料部分，所述第一層后向階梯式介電材料部分覆蓋在所述第一層交替堆疊的第一階梯式表面上面； 第二絕緣層和第二導(dǎo)電層的第二層交替堆疊，其中所述第二層交替堆疊覆蓋在所述第一層交替堆疊上面并且覆蓋在包括所述第一層后向階梯式介電材料部分的平坦頂表面的水平平面上面； 存儲器開口填充結(jié)構(gòu)，所述存儲器開口填充結(jié)構(gòu)定位在第一存儲器陣列區(qū)域內(nèi)并且豎直延伸穿過所述第一層交替堆疊和所述第二層交替堆疊內(nèi)的每一層，其中所述存儲器開口填充結(jié)構(gòu)中的每一個存儲器開口填充結(jié)構(gòu)包括相應(yīng)存儲器膜和相應(yīng)豎直半導(dǎo)體溝道； 第二層后向階梯式介電材料部分，所述第二層后向階梯式介電材料部分覆蓋在所述第二層交替堆疊的第二階梯式表面上面并且延伸穿過所述第二層交替堆疊的第一橫向凹陷部區(qū)域；以及 介電阱結(jié)構(gòu)，所述介電阱結(jié)構(gòu)接觸所述第一層后向階梯式介電材料部分的頂表面并且延伸穿過所述第二層交替堆疊的第二橫向凹陷部區(qū)域。

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