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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利用于形成半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)的沉積工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113035782B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011197842.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)用于形成半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)的沉積工藝是由柯忠廷;徐志安設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-10-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于形成半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)的沉積工藝在說明書摘要公布了：本公開涉及用于形成半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)的沉積工藝。一種方法包括：將半導(dǎo)體襯底置于沉積室中，其中，半導(dǎo)體襯底包括溝槽；以及執(zhí)行原子層沉積ALD工藝以在溝槽內(nèi)沉積電介質(zhì)材料，包括：使電介質(zhì)材料的第一前體作為氣相流入沉積室；使電介質(zhì)材料的第二前體作為氣相流入沉積室；以及控制沉積室內(nèi)的壓力和溫度，使得第二前體作為第二前體的液相凝聚在溝槽內(nèi)的表面上，其中，第二前體的液相具有毛細現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)用于形成半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)的沉積工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括： 將半導(dǎo)體襯底置于沉積室中，其中，所述半導(dǎo)體襯底包括溝槽；以及 執(zhí)行原子層沉積ALD工藝以在所述溝槽內(nèi)沉積電介質(zhì)材料，包括： 使所述電介質(zhì)材料的第一前體作為氣相流入所述沉積室； 使所述電介質(zhì)材料的第二前體作為氣相流入所述沉積室； 控制所述沉積室內(nèi)的壓力和溫度，使得所述第二前體作為所述第二前體的液相凝聚在所述溝槽內(nèi)的表面上，其中，所述第二前體的所述液相具有毛細現(xiàn)象；以及 不完全地清除未反應(yīng)的第二前體，使得所述未反應(yīng)的第二前體的一部分在所述溝槽的底部附近保留在所述液相中。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。