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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114171575B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110022129.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導體裝置是由松下憲一;大黑達也設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：實施方式提供一種可靠性高的半導體裝置。實施方式的半導體裝置具備半導體部分、終端絕緣膜、第一保護膜、第二電極、終端電極、第一絕緣膜、以及第二保護膜。所述半導體部分設(shè)于所述第一電極上。所述終端絕緣膜設(shè)于所述半導體部分上。所述第一保護膜設(shè)于所述終端絕緣膜上，包含硅以及氮。所述第二電極設(shè)于單元區(qū)域的所述半導體部分上。所述終端電極設(shè)于所述第一保護膜上，并與所述半導體部分連接。所述第一絕緣膜設(shè)于所述第一保護膜上，并配置于所述第二電極與所述終端電極之間。所述第一絕緣膜的上部配置于所述第二電極以及所述終端電極之上。所述第二保護膜覆蓋所述第一絕緣膜上，包含硅以及氮。

本發(fā)明授權(quán)半導體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，設(shè)定有單元區(qū)域以及包圍所述單元區(qū)域的終端區(qū)域，其中，該半導體裝置具備： 第一電極； 半導體部分，設(shè)于所述第一電極上； 終端絕緣膜，在所述終端區(qū)域中設(shè)于所述半導體部分上； 第一保護膜，設(shè)于所述終端絕緣膜上，包含硅以及氮； 第二電極，在所述單元區(qū)域中設(shè)于所述半導體部分上，且端部配置于所述第一保護膜上； 終端電極，在所述終端區(qū)域中設(shè)于所述第一保護膜上，并與所述半導體部分連接； 第一絕緣膜，設(shè)于所述第一保護膜上，并與所述第二電極的端部以及所述終端電極相接，所述第一絕緣膜的下部配置于所述第二電極與所述終端電極之間，所述第一絕緣膜的上部配置于所述第二電極以及所述終端電極之上，所述第一絕緣膜包含氫；以及 第二保護膜，覆蓋所述第一絕緣膜的所述上部，包含硅以及氮。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。