中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張田田獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115513173B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110699495.1，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由張田田;張浩;荊學珍;郭雯;于海龍設計研發完成，并于2021-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，結構包括：襯底，所述襯底包括基底和位于基底上的器件結構；位于襯底上的第一介質層，所述第一介質層內具有若干第一開口，所述第一開口暴露出部分所述器件結構表面；位于第一開口內的導電結構，所述導電結構包括位于第一開口側壁表面和底部表面的阻擋層和位于阻擋層表面的導電層，所述導電結構與所述器件結構電連接；位于第一介質層和導電結構上的停止層；位于停止層上的第二介質層；位于第二介質層內和停止層內的第二開口，所述第二開口暴露出所述導電層頂部表面以及部分所述阻擋層側壁表面；位于暴露出的阻擋層表面的增強層；位于第二開口內的電連接層。所述半導體結構的性能得到提升。
本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括基底和位于基底上的器件結構； 位于襯底上的第一介質層，所述第一介質層內具有若干第一開口，所述第一開口暴露出部分所述器件結構表面； 位于第一開口內的導電結構，所述導電結構包括位于第一開口側壁表面和底部表面的阻擋層和位于阻擋層表面的導電層，所述導電結構與所述器件結構電連接； 位于第一介質層上的停止層； 位于停止層上的第二介質層； 位于第二介質層內和停止層內的第二開口，所述第二開口暴露出所述導電層頂部表面以及部分所述阻擋層側壁表面，所述第二開口底部表面低于所述阻擋層頂部表面，所述導電層頂部表面低于所述阻擋層頂部表面； 位于暴露出的阻擋層表面的增強層； 位于第二開口內的電連接層，所述電連接層位于導電層表面和增強層表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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