株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社可知剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171594B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110835834.4，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體裝置是由可知剛設計研發完成，并于2021-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：實施方式涉及一種半導體裝置，具備：第1電極；與上述第1電極連接的第1導電型的第1半導體層；設置在上述第1半導體層上的上述第1導電型的第2半導體層；設置在上述第2半導體層上的第2導電型的第3半導體層；設置在上述第3半導體層上的上述第1導電型的第4半導體層；與上述第3半導體層以及上述第4半導體層連接的第2電極；從上述第4半導體層朝向上述第2半導體層延伸且與上述第3半導體層相鄰的柵極；沿著從上述第4半導體層朝向上述第2半導體層的方向上延伸且與上述第2半導體層相鄰的場板電極；以及設置在上述場板電極與上述第2半導體層之間且從下端到上述場板電極的下端的第1距離比到上述第1半導體層的第2距離長的第1絕緣膜。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具備： 第1電極； 第1導電型的第1半導體層，與上述第1電極連接； 上述第1導電型的第2半導體層，設置在上述第1半導體層上，雜質濃度比上述第1半導體層的雜質濃度低； 第2導電型的第3半導體層，設置在上述第2半導體層上； 上述第1導電型的第4半導體層，設置在上述第3半導體層上； 第2電極，與上述第3半導體層以及上述第4半導體層連接； 柵極，從上述第4半導體層朝向上述第2半導體層延伸，與上述第3半導體層相鄰； 場板電極，沿著從上述第4半導體層朝向上述第2半導體層的方向延伸，并延伸至比上述柵極靠下方的位置，與上述第2半導體層相鄰；以及 第1絕緣膜，設置在上述柵極與上述第3半導體層之間、上述場板電極與上述第2半導體層之間、以及上述柵極與上述場板電極之間，從下端到上述場板電極的下端的第1距離比從下端到上述第1半導體層的第2距離長， 上述第1距離比上述場板電極的側面與上述第1絕緣膜的側面之間的第3距離大。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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