旺宏電子股份有限公司胡志瑋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉旺宏電子股份有限公司申請的專利三維AND快閃存儲器元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115835635B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111156151.2，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權三維AND快閃存儲器元件及其制造方法是由胡志瑋;葉騰豪;呂函庭設計研發完成，并于2021-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維AND快閃存儲器元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種三維AND快閃存儲器元件，包括：疊層結構，位于介電基底上，其中所述疊層結構包括彼此交替疊層的多個柵極層與多個絕緣層；多個分隔物，將所述疊層結構分隔成多個子區塊，所述多個分隔物包括：多個疊層墻，包括彼此交替疊層的多個分隔層與所述多個絕緣層，其中所述多個分隔層埋在所述多個柵極層中；多個分隔狹縫，與所述多個疊層墻彼此交替，其中每一分隔狹縫延伸穿過所述疊層結構；多個通道柱，延伸穿過每一子區塊的所述疊層結構；多個源極柱與多個漏極柱，位于所述多個通道柱內；以及多個電荷儲存結構，位于所述多個柵極層與所述通道柱之間。
本發明授權三維AND快閃存儲器元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種三維AND快閃存儲器元件，包括： 疊層結構，位于介電基底上，其中所述疊層結構包括彼此交替疊層的多個柵極層與多個絕緣層； 多個分隔物，將所述疊層結構分隔成多個子區塊，所述多個分隔物包括： 多個疊層墻，包括彼此交替疊層的多個分隔層與所述多個絕緣層，其中所述多個分隔層埋在所述多個柵極層中； 多個分隔狹縫，與所述多個疊層墻彼此交替，其中每一分隔狹縫延伸穿過所述疊層結構的所述多個柵極層與所述多個絕緣層； 多個通道柱，延伸穿過每一子區塊的所述疊層結構； 多個源極柱與多個漏極柱，位于所述多個通道柱內，且與所述多個通道柱電性連接；以及 多個電荷儲存結構，位于所述多個柵極層與所述通道柱之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人旺宏電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區力行路16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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