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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請的專利可消除淺溝槽凹坑的半導(dǎo)體工藝方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114334794B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111663779.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)可消除淺溝槽凹坑的半導(dǎo)體工藝方法是由李樂;胡林輝;黃永彬;王峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本可消除淺溝槽凹坑的半導(dǎo)體工藝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種可消除淺溝槽凹坑的半導(dǎo)體工藝方法，包括步驟：提供襯底，包括若干間隔分布的有源區(qū)以及位于有源區(qū)中間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；于有源區(qū)內(nèi)形成阱區(qū)；形成第一厚度的犧牲材料層，犧牲材料層覆蓋有源區(qū)及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，犧牲材料層的材質(zhì)與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同；對犧牲材料層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，以使?fàn)奚牧蠈拥暮穸认麥p為第二厚度，第一厚度與第二厚度的差值大于等于400埃；進(jìn)行濕法刻蝕去除殘余的犧牲材料層，并使得有源區(qū)的上表面和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面相平齊；于有源區(qū)的上表面依次形成柵氧化層和柵極多晶硅層。本發(fā)明可以有效避免在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)周圍形成凹坑，可以避免器件的局部導(dǎo)通，有助于提高器件性能。

本發(fā)明授權(quán)可消除淺溝槽凹坑的半導(dǎo)體工藝方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種可消除淺溝槽凹坑的半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，包括步驟： 提供襯底，所述襯底包括若干間隔分布的有源區(qū)以及位于有源區(qū)中間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面高于有源區(qū)的上表面； 于所述有源區(qū)表面形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的材質(zhì)與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同； 對所述有源區(qū)進(jìn)行離子注入及高溫退火，于所述有源區(qū)內(nèi)形成阱區(qū)； 形成第一厚度的犧牲材料層，所述犧牲材料層覆蓋所述有源區(qū)及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述犧牲材料層的材質(zhì)與所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同； 對所述犧牲材料層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，以使所述犧牲材料層的厚度消減為第二厚度，第一厚度與第二厚度的差值大于等于400埃； 進(jìn)行濕法刻蝕去除殘余的犧牲材料層，并使得有源區(qū)的上表面和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面相平齊； 于有源區(qū)的上表面依次形成柵氧化層和柵極多晶硅層。

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