廣東粵港澳大灣區國家納米科技創新研究院胡慶文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣東粵港澳大灣區國家納米科技創新研究院申請的專利一種快速制備光刻膠掩膜的壓印方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115167072B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210079240.X，技術領域涉及：G03F1/00；該發明授權一種快速制備光刻膠掩膜的壓印方法是由胡慶文;杜有成;李曉軍設計研發完成，并于2022-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種快速制備光刻膠掩膜的壓印方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種快速制備光刻膠掩膜的壓印方法，包括以下步驟：a采用復制材料通過壓印方式獲得硅母模版上的納米結構圖形數據，得到壓印后的樣片；b在步驟a得到的壓印后的樣片邊緣開口后，將帶有納米結構圖形數據的一面與基體貼合，然后在開口處注入光刻膠并使其填滿壓印后的樣片與基體的間隙，再經UV固化，得到處理后的樣品；c將步驟b得到的處理后的樣品剝離壓印后的樣片，并去除開口處的光刻膠，得到納米結構圖形數據與所述硅母模版一致的光刻膠掩膜。與現有技術相比，本發明采用非光刻的特定工藝步驟，實現整體較好的相互作用，能夠實現快速制備高保真精度的母模版，以便產品大批量生產制造使用，提高生產效率及產品良率。
本發明授權一種快速制備光刻膠掩膜的壓印方法在權利要求書中公布了：1.一種快速制備光刻膠掩膜的壓印方法，包括以下步驟： a采用復制材料通過壓印方式獲得硅母模版上的納米結構圖形數據，得到壓印后的樣片； b在步驟a得到的壓印后的樣片邊緣開口后，將帶有納米結構圖形數據的一面與基體貼合，然后在開口處注入光刻膠并使其填滿壓印后的樣片與基體的間隙，再經UV固化，得到處理后的樣品；所述開口的位置與所述壓印后的樣片與基體貼合形成的間隙相通； c將步驟b得到的處理后的樣品剝離壓印后的樣片，并去除開口處的光刻膠，得到納米結構圖形數據與所述硅母模版一致的光刻膠掩膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東粵港澳大灣區國家納米科技創新研究院，其通訊地址為：510700 廣東省廣州市黃埔區開源大道136號D棟201室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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