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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種用于提高原子層沉積多層膜膜厚控制精度的方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116657118B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210149529.4，技術領域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權一種用于提高原子層沉積多層膜膜厚控制精度的方法是由鄒家寶;何萌;盧維爾;譚明生;夏洋;劉濤;冷興龍;屈芙蓉;趙麗莉;李楠設計研發(fā)完成，并于2022-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于提高原子層沉積多層膜膜厚控制精度的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種用于提高原子層沉積多層膜膜厚控制精度的方法，S100：在反應腔室中放置樣品和陪片；S200：進行原子層沉積，獲得多層膜樣品；S300：獲得膜層生長數據；S400：對比實際膜厚與理論膜厚，獲得平均生長速率；S500、S600：當平均生長速率不滿足第一生長速率變化趨勢時，進行誤差數據排除，重復S400?S600；S700：將平均生長速率作為初始生長速率；S800：保持工藝條件不變，調整工藝參數，重復S100?S700；S900：獲得多層膜器件。解決了現有技術對原子層沉積多層膜膜厚控制方法的研究相對較少，導致控制精度不高，存在無法獲得理想的多層膜膜厚控制精度的技術問題。

本發(fā)明授權一種用于提高原子層沉積多層膜膜厚控制精度的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于提高原子層沉積多層膜膜厚控制精度的方法，其特征在于，所述方法包括： S100：在反應腔室中放置樣品和陪片； S200：通過第一工藝參數進行所述反應腔室多層膜所需生長材料的原子層沉積，獲得多層膜樣品； S300：對所述多層膜樣品進行電鏡成像，獲得膜層生長數據； S400：對比實際膜厚與理論膜厚，獲得平均生長速率； S500：判斷所述平均生長速率是否滿足第一生長速率變化趨勢； S600：當所述平均生長速率不滿足所述第一生長速率變化趨勢時，進行所述平均生長速率中的誤差數據排除，基于排除誤差數據后的膜層生長數據，重復S400-S600，直至所述平均生長速率滿足第一生長速率變化趨勢停止； S700：將所述平均生長速率作為下一階段薄膜材料的初始生長速率； S800：保持工藝條件不變，調整工藝參數，重復S100-S700； S900：獲得高膜厚控制精度的多層膜器件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。