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龍圖騰網(wǎng)獲悉江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利正裝LED芯片及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114709301B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210279143.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)正裝LED芯片及其制備方法是由張柯;張星星;簡(jiǎn)弘安;胡加輝;金從龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-03-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本正裝LED芯片及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提出一種正裝LED芯片及其制備方法，該方法包括：在所述藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)有未摻雜半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層；在第二型半導(dǎo)體層上沉積透明導(dǎo)電層，使用激光將藍(lán)寶石襯底剝離脫落；采用干法刻蝕，以從未摻雜半導(dǎo)體層刻蝕至透明導(dǎo)電層；在未摻雜半導(dǎo)體層上依次沉積SiO2層、反射層、阻擋層以及共晶鍵合層；獲取一氮化鋁基板，并在氮化鋁基板上沉積共晶鍵合層；將SiO2層上的共晶鍵合層與氮化鋁基板上的共晶鍵合層鍵合。根據(jù)本發(fā)明提出的正裝LED芯片的制備方法，使用襯底剝離工藝以釋放外延晶格應(yīng)力，有效提升外延層內(nèi)量子效率，同時(shí)采用散熱性能優(yōu)良的氮化鋁基板，便于芯片工作中散熱，提升芯片在大電流下的運(yùn)行可靠性。

本發(fā)明授權(quán)正裝LED芯片及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種正裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取一藍(lán)寶石襯底，并在所述藍(lán)寶石襯底上依次生長(zhǎng)未摻雜半導(dǎo)體層，第一型半導(dǎo)體層，有源層，第二型半導(dǎo)體層； 接著在所述第二型半導(dǎo)體層上沉積透明導(dǎo)電層，并使用激光穿透所述藍(lán)寶石襯底與所述未摻雜半導(dǎo)體層的交界處，以使藍(lán)寶石襯底脫落，包括： 在所述第二型半導(dǎo)體層上沉積透明導(dǎo)電層，在所述透明導(dǎo)電層表面沉積SiO2層， 提供一硅片，將硅片與沉積在透明導(dǎo)電層上的SiO2層鍵合， 使用激光穿透所述藍(lán)寶石襯底與所述未摻雜半導(dǎo)體層的交界處，以使藍(lán)寶石襯底脫落， 將剝離藍(lán)寶石襯底后的結(jié)構(gòu)置于稀鹽酸溶液中浸泡10-15min， 采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)將對(duì)剝離藍(lán)寶石襯底后裸露出的未摻雜半導(dǎo)體層表面進(jìn)行拋光； 接著采用干法刻蝕，以從所述未摻雜半導(dǎo)體層刻蝕至所述透明導(dǎo)電層； 接著在所述未摻雜半導(dǎo)體層上依次沉積SiO2層、反射層、阻擋層以及共晶鍵合層； 接著獲取一氮化鋁基板，并在所述氮化鋁基板上沉積共晶鍵合層； 接著將SiO2層上的共晶鍵合層與氮化鋁基板上的共晶鍵合層鍵合； 研磨以去除鍵合的硅片，裸露出沉積在透明導(dǎo)電層上的SiO2層； 接著使用BOE溶液腐蝕去除裸露在芯片表面的SiO2層，并對(duì)第二型半導(dǎo)體表面進(jìn)行干法刻蝕，直至裸露出第一型半導(dǎo)體； 接著在第一型半導(dǎo)體表面蒸鍍第一電極，在透明導(dǎo)電層表面蒸鍍第二電極； 接著在芯片表面沉積鈍化層，以保護(hù)芯片表面及側(cè)壁，并使用黃光圖形化以裸露出第一電極與第二電極。

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