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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學申請的專利一種具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114899225B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210477893.3，技術領域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權一種具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制作方法是由陸海;金玉壘;周峰;徐尉宗;周東;任芳芳設計研發(fā)完成，并于2022-05-05向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制作方法。具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管，柵源連通區(qū)域和漏連通區(qū)域均設有呈局域分布的第二柵極金屬層，每個第二柵極金屬層上表面均設有對應的第二互聯(lián)金屬層，第二柵極金屬層一側超出其上表面對應的第二互聯(lián)金屬層的一側形成階梯場板結構。本發(fā)明通過在晶體管柵源和柵漏連通區(qū)域中均設置第二柵極金屬層和第二互聯(lián)金屬層形成階梯場板結構，利用該階梯場板結構有效改善了晶體管在正向和反向偏置電壓下的內部電場分布，從而提升了晶體管的擊穿電壓和減小漏電流；構成該階梯場板結構的金屬層和晶體管電極區(qū)域的金屬層同時形成，制備方法簡單。

本發(fā)明授權一種具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法，其特征在于，具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管自下而上依次包括襯底層（1）、氮化鎵層（2）和鋁鎵氮層（3）；鋁鎵氮層（3）上表面設有p型氮化鎵層（4），氮化鎵層（4）的兩側分布有間隔不等的歐姆金屬層（5），其中，離p型氮化鎵層（4）較近的歐姆金屬層（5）形成晶體管的源極，離p型氮化鎵層（4）較遠的歐姆金屬層（5）形成晶體管的漏極；p型氮化鎵層（4）上表面設有第一柵極金屬層（61）形成晶體管的柵極，柵極和源極之間存在柵源連通區(qū)域，柵極和漏極之間存在柵漏連通區(qū)域，歐姆金屬層（5）上表面設有第一互聯(lián)金屬層（71）； 柵源連通區(qū)域和柵漏連通區(qū)域均設有呈局域分布的第二柵極金屬層（62），每個第二柵極金屬層（62）上表面均設有對應的第二互聯(lián)金屬層（72），第二柵極金屬層（62）一側超出其上表面對應的第二互聯(lián)金屬層（72）的一側、形成階梯場板結構； 具有階梯場板結構的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法，包括如下步驟： 1）外延片自下而上依次包括襯底層（1）、氮化鎵層（2）、鋁鎵氮層（3）和p型氮化鎵層（4），利用電感耦合等離子體干法刻蝕方法，移除非圖形區(qū)域的p型氮化鎵層（4），使得僅有柵極區(qū)域保留p型氮化鎵層（4）； 2）利用光刻剝離方法，在源極和漏極區(qū)域同時淀積歐姆金屬層（5），隨后在800-900℃下氮氣氛圍中對其進行20-40秒高溫退火處理，形成歐姆接觸； 3）利用等離子體增強化學氣相沉積方法，在整個外延片上覆蓋柵介質層，隨后利用電感耦合等離子體干法刻蝕方法移除p型氮化鎵層（4）上方、以及柵源和柵漏局部區(qū)域的柵極介質層，形成呈局域分布的凹槽區(qū)域； 4）利用光刻剝離方法，在步驟3）所得的呈局域分布的凹槽區(qū)域中淀積柵極金屬層（6），柵極金屬層（6）包括第一柵極金屬層（61）和第二柵極金屬層（62）； 5）利用等離子體增強化學氣相沉積方法，在整個外延片上覆蓋鈍化介質層，隨后利用電感耦合等離子體干法刻蝕方法移除歐姆金屬層（5）上方、以及柵源和柵漏局部區(qū)域的鈍化介質層，形成呈局域分布的凹槽區(qū)域； 6）利用光刻剝離方法，在步驟5）所得的呈局域分布的凹槽區(qū)域中淀積互聯(lián)金屬層（7），淀積互聯(lián)金屬層（7）包括第一互聯(lián)金屬層（71）和第二互聯(lián)金屬層（72），之后分別在晶體管的柵極、源極和漏極電極金屬上淀積PAD加厚金屬層，沿著劃片道對外延片進行劃片處理，對單個晶體管進行封裝，最終完成晶體管制備。

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