TCL華星光電技術有限公司羅傳寶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL華星光電技術有限公司申請的專利陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115132762B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202210798536.7,技術領域涉及:H10D86/60;該發(fā)明授權陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置是由羅傳寶設計研發(fā)完成,并于2022-07-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置在說明書摘要公布了:本申請涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置,該陣列基板包括:基底;源漏極層,設于基底的一側,并用于向感光薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管提供源極和漏極;第一半導體層和第二半導體層,設于源漏極層背離基底的一側,并分別用于向驅動薄膜晶體管和感光薄膜晶體管提供有源層,且第一半導體層的材質包括多晶硅,第二半導體層的材質包括非晶硅;第一柵極層和第二柵極層,分別設于第一半導體層和第二半導體層背離源漏極層的一側,并分別用于向驅動薄膜晶體管和感光薄膜晶體管提供柵極,從而在陣列基板應用于顯示面板時,使得顯示面板能夠同時實現(xiàn)優(yōu)良的感光特性和良好的顯示效果。
本發(fā)明授權陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置在權利要求書中公布了:1.一種陣列基板,其特征在于,包括基底以及設于所述基底的一側的薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層包括感光單元和驅動單元,所述感光單元包括感光薄膜晶體管,所述驅動單元包括驅動薄膜晶體管,且其中,所述薄膜晶體管層具體包括: 源漏極層,設于所述基底的一側,并用于向所述感光薄膜晶體管提供源極和對應的漏極,以及向所述驅動薄膜晶體管提供源極和對應的漏極; 同層設置的第一半導體層和第二半導體層,設于所述源漏極層背離所述基底的一側,所述第二半導體層用于向所述感光薄膜晶體管提供有源層,所述第一半導體層用于向所述驅動薄膜晶體管提供有源層,且所述第二半導體層的材質包括非晶硅,所述第一半導體層的材質包括多晶硅; 第一柵極層和第二柵極層,所述第二柵極層設于所述第二半導體層背離所述源漏極層的一側,并用于向所述感光薄膜晶體管提供柵極,所述第一柵極層設于所述第一半導體層背離所述源漏極層的一側,并用于向所述驅動薄膜晶體管提供柵極; 柵絕緣層,設于所述第一半導體層和所述第二半導體層背離所述基底的一側,且所述第一柵極層和所述第二柵極層設于所述柵絕緣層背離所述基底的一側; 其中,所述柵絕緣層包括同層設置的第一柵絕緣層和第二柵絕緣層,所述第一柵絕緣層設于所述驅動薄膜晶體管的有源層和對應的柵極之間,所述第二柵絕緣層設于所述感光薄膜晶體管的有源層和對應的柵極之間。
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