華燦光電(浙江)有限公司蘭葉獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請(qǐng)的專利改善轉(zhuǎn)移精度的發(fā)光二極管芯片及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115347099B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210825532.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10H20/819;該發(fā)明授權(quán)改善轉(zhuǎn)移精度的發(fā)光二極管芯片及其制備方法是由蘭葉;王江波;吳志浩;張威設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-07-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本改善轉(zhuǎn)移精度的發(fā)光二極管芯片及其制備方法在說明書摘要公布了:本公開提供了一種改善轉(zhuǎn)移精度的發(fā)光二極管芯片及其制備方法,屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光二極管芯片具有第一表面、第二表面以及多個(gè)側(cè)面,所述第一表面和所述第二表面相對(duì),且所述第一表面為電極所在的表面,所述多個(gè)側(cè)面分別連接所述第一表面和所述第二表面,所述側(cè)面上具有多個(gè)導(dǎo)流槽,多個(gè)所述導(dǎo)流槽在所述第一表面上的正投影軸對(duì)稱分布,所述導(dǎo)流槽從所述第一表面向所述第二表面延伸,所述導(dǎo)流槽的橫截面積從一端向另一端逐漸減小,且所述導(dǎo)流槽靠近所述第一表面的一端的橫截面積大于遠(yuǎn)離所述第一表面的一端的橫截面積。本公開實(shí)施例能在轉(zhuǎn)移芯片的過程中,讓芯片平穩(wěn)地轉(zhuǎn)移至電路板,提升芯片轉(zhuǎn)移精度。
本發(fā)明授權(quán)改善轉(zhuǎn)移精度的發(fā)光二極管芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述發(fā)光二極管芯片具有第一表面101、第二表面102以及多個(gè)側(cè)面,所述第一表面101和所述第二表面102相對(duì),且所述第一表面101為電極30所在的表面,所述多個(gè)側(cè)面分別連接所述第一表面101和所述第二表面102,所述側(cè)面上具有多個(gè)導(dǎo)流槽20,多個(gè)所述導(dǎo)流槽20在所述第一表面101上的正投影軸對(duì)稱分布,所述導(dǎo)流槽20從所述第一表面101向所述第二表面102延伸,所述導(dǎo)流槽20的橫截面積從一端向另一端逐漸減小,且所述導(dǎo)流槽20靠近所述第一表面101的一端的橫截面積大于遠(yuǎn)離所述第一表面101的一端的橫截面積,所述導(dǎo)流槽20的橫截面積為所述導(dǎo)流槽20平行于所述第一表面101的橫截面的面積。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華燦光電(浙江)有限公司,其通訊地址為:322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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