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龍圖騰網(wǎng)獲悉復(fù)旦大學(xué)申請(qǐng)的專利一種基于ZrO₂反鐵電性的多比特存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115440595B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211112651.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種基于ZrO₂反鐵電性的多比特存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法是由陳琳;李振海;孟佳琳;王天宇;孫清清;張衛(wèi)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-09-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于ZrO₂反鐵電性的多比特存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)一種基于ZrO2反鐵電性的多比特存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法。包括以下步驟：在Si襯底上沉積SiO2層，并對(duì)SiO2層進(jìn)行光刻、刻蝕露出襯底形成柵極窗口；利用氮等離子體對(duì)Si襯底做鈍化處理形成Si3N4薄層；形成HZOZrO2HZO疊層結(jié)構(gòu)，通過(guò)調(diào)控ZrO2的厚度，使ZrO2具有適當(dāng)?shù)姆磋F電特性，并通過(guò)調(diào)節(jié)ZrO2兩側(cè)HZO的厚度來(lái)調(diào)控ZrO2反轉(zhuǎn)電流的大小，從而調(diào)節(jié)ZrO2層反鐵電電流特征峰的移動(dòng)，使器件擁有非易失性多態(tài)存儲(chǔ)的同時(shí)擴(kuò)大存儲(chǔ)窗口；形成TiN層作為柵極，并在N2氛圍中退火；刻蝕去除兩側(cè)的SiO2層，光刻出源極和漏極的位置并進(jìn)行離子注入摻雜；形成SiO2邊墻，再次進(jìn)行離子注入，高溫快速退火，激活摻雜離子；在源極、漏極和柵極表面形成接觸電極。

本發(fā)明授權(quán)一種基于ZrO₂反鐵電性的多比特存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種基于ZrO2反鐵電性的多比特存儲(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在Si襯底上沉積SiO2層，并對(duì)SiO2層進(jìn)行光刻、刻蝕露出襯底形成柵極窗口； 利用氮等離子體對(duì)Si襯底做鈍化處理形成Si3N4薄層； 形成HZOZrO2HZO疊層結(jié)構(gòu)，通過(guò)調(diào)控ZrO2的厚度，使ZrO2具有適當(dāng)?shù)姆磋F電特性，并通過(guò)調(diào)節(jié)ZrO2兩側(cè)HZO的厚度來(lái)調(diào)控ZrO2反轉(zhuǎn)電流的大小，從而調(diào)節(jié)ZrO2層反鐵電電流特征峰的移動(dòng)，使器件擁有非易失性多態(tài)存儲(chǔ)的同時(shí)擴(kuò)大存儲(chǔ)窗口； 形成TiN層作為柵極，并在N2氛圍中退火； 刻蝕去除兩側(cè)的SiO2層，光刻出源極和漏極的位置并進(jìn)行離子注入摻雜； 在柵極疊層兩側(cè)形成SiO2邊墻，再次進(jìn)行離子注入，高溫快速退火，激活摻雜離子； 在源極、漏極和柵極表面形成接觸電極。

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