廈門大學卜軼坤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門大學申請的專利一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116068793B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310076613.2,技術領域涉及:G02F1/01;該發明授權一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜及其制備方法是由卜軼坤;楊堅;陳楠;段珍珍;陳煒杰;蔡光師;何澤湘設計研發完成,并于2023-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜,所述薄膜的結構為:HPsLPHs,該薄膜的結構為以L為中心的對稱結構,其中,H表示高折射率介質層,P表示相變層,L表示低折射率介質層,每組HP或PH構成等效高折射率單元,每組等效高折射率單元由高折射率介質層H和相變層P堆疊而成,s表示等效高折射率單元重復堆疊次數,s為正整數。本發明還提供了一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜的制備方法,通過相變層發生相變使制備的薄膜在相變前后都能擁有較大色差的結構色。
本發明授權一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種基于相變材料的光子晶體結構色薄膜,其特征在于,所述薄膜的結構為:(HP)sL(PH)s,該薄膜的結構為以L為中心的對稱結構,其中,H表示高折射率介質層,P表示相變層,L表示低折射率介質層,每組(HP)或(PH)構成等效高折射率單元,每組等效高折射率單元由高折射率介質層H和相變層P堆疊而成,s表示等效高折射率單元重復堆疊次數,s為正整數; 所述高折射率介質層H為在400nm~780nm范圍內折射率大于或等于1.55的材料膜層,采用鈦酸鑭、非晶硅、氧化銦錫、二氧化鈦、五氧化二鉭、二氧化鉿、二氧化鋯、硫化鋅或者一氧化硅;所述高折射率介質層H的厚度范圍為20-500nm; 所述相變層P采用GSST材料或GST材料,該GSST材料在不同的溫度下具有兩種不同的晶態,分別為不定型態和結晶態;該GST材料在不同的溫度下具有三種不同的晶態,分別為非晶態、亞穩態和結晶態;所述相變層P的厚度范圍為5-30nm; 所述低折射率介質層L為在400nm~780nm范圍內折射率小于1.55的材料膜層,采用二氧化硅、氟化鎂、氟化鈰、氟化鑭、氟化鈉鋁、氟化釹、氟化鈔、氟化鋇、氟化鈣或氟化鋰;所述低折射率介質層L的厚度范圍為20nm~600nm。
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